长鑫科技集团股份有限公司王海林获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫科技集团股份有限公司申请的专利晶圆结构及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119764296B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311253252.0，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权晶圆结构及其制作方法是由王海林设计研发完成，并于2023-09-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本晶圆结构及其制作方法在说明书摘要公布了：本公开提供一种晶圆结构及其制作方法，涉及半导体技术领域，用于解决芯片良率较低的技术问题。该晶圆结构包括芯片和环绕芯片的切割道，切割道具有相邻接的阻挡区和填充区，阻挡区与芯片相邻接；阻挡区上设置有缓冲层，缓冲层内设置沿远离芯片的方向间隔排布的至少两排阻挡结构，每排阻挡结构包括贯穿缓冲层且间隔排布的多个阻挡孔，相邻两排阻挡结构的多个阻挡孔错位设置，填充区上形成有填充层，填充层至少位于缓冲层之间。当裂纹或者崩边在缓冲层中延伸扩展至阻挡孔时，沿阻挡孔的边长方向延伸扩展，从而避免向芯片继续延伸扩展，或者减弱向芯片方向的扩展能力，以对芯片进行保护，保证芯片的性能，提高芯片良率。
本发明授权晶圆结构及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种晶圆结构，其特征在于，包括芯片，以及环绕所述芯片的切割道，所述切割道具有相邻接的阻挡区和填充区，且所述阻挡区与所述芯片相邻接； 所述阻挡区上设置有缓冲层，所述缓冲层内设置沿远离所述芯片的方向间隔排布的至少两排阻挡结构，每排所述阻挡结构包括贯穿所述缓冲层且间隔排布的多个阻挡孔，相邻两排所述阻挡结构的所述多个阻挡孔错位设置，所述填充区上形成有填充层，所述填充层至少位于所述缓冲层之间； 所述填充区上还设置有测试结构和对准结构，所述填充层覆盖所述测试结构和所述对准结构； 所述缓冲层包括与所述测试结构相对的第一区域，以及与所述对准结构相对的第二区域，所述第一区域内的每排所述阻挡结构中的所述阻挡孔的排布密度，小于所述第二区域内的每排所述阻挡结构中的所述阻挡孔的排布密度。
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