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龙图腾网获悉河北工业大学创新研究院(石家庄);河北工业大学申请的专利一种衰减器芯片获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119766181B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411936134.4，技术领域涉及：H03H7/24；该发明授权一种衰减器芯片是由张舜尧;武一;左玉多;王伟;杨帆;郭艳菊;王皓轩设计研发完成，并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种衰减器芯片在说明书摘要公布了：本发明公开一种衰减器芯片，该芯片由第一薄膜电阻、第二薄膜电阻、输入焊盘、输出焊盘串联成主路，第三薄膜电阻与第四薄膜电阻并联接地，四个薄膜电阻共同构成纯T型电阻衰减结构。在传统的T型衰减器的结构上，将传统单接地薄膜电阻分成两个并联接地薄膜电阻，具有更好的对称性。纯电阻衰减器结构具备平坦的频率响应，可以在宽频范围内保持一致的衰减效果，同时成本低廉结构简单，应用广泛。另外，接地片与接地面通过接地通孔导通，该种结构增强了信号的对称性，从而提高了信号的稳定性。此外，在连接薄膜电阻的传输线上采用蛇形迂回设计，更好的保证了性能。本发明提供的衰减器芯片使用更为灵活、体积更小、性能更优。

本发明授权一种衰减器芯片在权利要求书中公布了：1.一种衰减器芯片，其特征在于，该芯片包括介质基板和设置在介质基板上表面上的衰减单元，所述介质基板背面设置有接地面，所述衰减单元包括输入焊盘、输出焊盘、第一接地焊盘、第二接地焊盘、第三接地焊盘、第四接地焊盘、第一薄膜电阻、第二薄膜电阻、第三薄膜电阻、第四薄膜电阻、第一接地片、第二接地片、第三接地片、第四接地片、第五接地片、第六接地片、第一传输线、第二传输线、第三传输线、第四传输线、第五传输线、第六传输线、第七传输线、第八传输线、第九传输线、第十传输线、第十一传输线； 所述输入焊盘、第一薄膜电阻、第二薄膜电阻、输出焊盘在介质基板上表面的中间位置从左至右呈水平状态依次设置，其中，输入焊盘与输出焊盘位置正对，第一薄膜电阻设置在靠近输入焊盘右侧的中间位置，第二薄膜电阻设置在靠近输出焊盘左侧的中间位置，第一薄膜电阻与第二薄膜电阻的位置正对；第七传输线设置在第一薄膜电阻与第二薄膜电阻之间的中间位置上；输入焊盘与第一薄膜电阻之间通过第一传输线导通，第一薄膜电阻与第七传输线之间通过第三传输线导通；输出焊盘与第二薄膜电阻之间通过第二传输线导通，第二薄膜电阻与第七传输线之间通过第四传输线导通； 输入焊盘、第一传输线、第一薄膜电阻、第三传输线形成的结构绕第七传输线的中点朝右旋转180°后与第四传输线、第二薄膜电阻、第二传输线、输出焊盘形成的结构重合； 第五接地片、第三薄膜电阻、第七传输线、第四薄膜电阻、第二接地片在介质基板上表面的中间位置从上至下呈竖直状态依次设置，其中，第五接地片与第三薄膜电阻的一端之间通过第五传输线导通，第三薄膜电阻的另一端与第七传输线导通；第四薄膜电阻的一端与第二接地片之间通过第六传输线导通，第四薄膜电阻的另一端与第七传输线导通； 第五接地片、第五传输线、第三薄膜电阻形成的结构绕第七传输线的中点朝右旋转180°后与第二接地片、第六传输线、第四薄膜电阻形成的结构重合； 在输入焊盘上、下两侧的介质基板的上表面上分别等间距的设置有第四接地焊盘、第一接地焊盘，在输出焊盘上、下两侧的介质基板的上表面上分别等间距的设置有第三接地焊盘、第二接地焊盘； 在第四接地焊盘上侧的介质基板的上表面的中间位置设置有第六接地片，在第三接地焊盘上侧的介质基板的上表面的中间位置设置有第四接地片，在第一接地焊盘下侧的介质基板的上表面的中间位置设置有第一接地片，在第二接地焊盘下侧的介质基板的上表面的中间位置设置有第三接地片；第六接地片的下侧与第四接地焊盘的上侧之间通过第八传输线导通，第四接地片的下侧与第三接地焊盘的上侧通过第九传输线导通，第一接地片的上侧与第一接地焊盘的下侧通过第十传输线导通，第三接地片的上侧与第二接地焊盘的下侧通过第十一传输线导通； 第一接地片、第二接地片、第三接地片、第四接地片、第五接地片、第六接地片的中间位置均设置有接地通孔，所述接地通孔贯穿到介质基板的背面；在每个接地通孔内均设置有导电性圆柱体，使每个接地片均与介质基板背面上的接地面电性导通。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人河北工业大学创新研究院(石家庄);河北工业大学，其通讯地址为：050299 河北省石家庄市鹿泉区经五街9号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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