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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第二十四研究所申请的专利带埋层结构的射频低噪声MOSFET晶体管及制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119815905B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411950737.X，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权带埋层结构的射频低噪声MOSFET晶体管及制作方法是由张培健;易孝辉;洪敏;唐新悦;钱坤;廖文龙;刘健;谢宝强;臧剑栋;朱坤峰;张广胜;杨永晖;幸鹏程;石松设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本带埋层结构的射频低噪声MOSFET晶体管及制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种带埋层结构的射频低噪声MOSFET晶体管及制作方法，制作方法包括：在第一有源区的衬底中注入形成埋层；在第一有源区和第二有源区的交界处形成浅槽隔离区；在埋层的下方通过注入形成深N阱；在深N阱正上方的四周的衬底中通过注入形成浅N阱，浅N阱与深N阱的边缘形成重叠；在深N阱的正上方的衬底中通过注入形成P阱；制作栅极；注入形成源漏接触区、LDD区；形成侧墙隔离结构和金属化接触层。本发明中，通过在P阱下方的N型埋层以及深N阱实现双层衬底隔离，隔绝了P型衬底由于电路中不同偏置电压引起的噪声串扰，有效抑制了载流子在输运过程中与陷阱缺陷的随机电报噪声的值，达到抑制器件低频噪声的作用。

本发明授权带埋层结构的射频低噪声MOSFET晶体管及制作方法在权利要求书中公布了：1.一种带埋层结构的射频低噪声MOSFET晶体管制作方法，其特征在于：包括以下步骤： S1、提供一衬底，在所述衬底上划分第一有源区和第二有源区，并在第一有源区的衬底中注入形成埋层；所述埋层的掺杂类型为N型掺杂； S2、在所述衬底的上部对应第一有源区和第二有源区的交界处形成浅槽隔离区； S3、在所述埋层的下方通过注入形成深N阱，所述深N阱的水平尺寸大于埋层的水平尺寸； S4、在所述深N阱正上方的四周的衬底中通过注入形成浅N阱，所述浅N阱向内延伸至与埋层接触，从而与深N阱的边缘形成重叠；之后在所述深N阱的正上方的衬底中通过注入形成P阱； S5、在所述浅N阱上方的衬底表面制作P型栅极，在所述P阱上方的衬底表面制作N型栅极；并在衬底上注入形成N型源漏接触区、NLDD区、P型源漏接触区和PLDD区； S6、在所述P型栅极和N型栅极周围分别形成侧墙隔离结构，并形成金属化接触层。

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