武汉华星光电技术有限公司李文琪获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉华星光电技术有限公司申请的专利显示面板及其制作方法、显示装置获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119816106B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411942380.0,技术领域涉及:H10K59/12;该发明授权显示面板及其制作方法、显示装置是由李文琪;刘超凡设计研发完成,并于2024-12-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本显示面板及其制作方法、显示装置在说明书摘要公布了:本申请公开了一种显示面板及其制作方法、显示装置,显示面板的制作方法包括以下步骤:在基板的一侧形成阳极层;在阳极层远离基板的一侧形成牺牲层,牺牲层的侧面与底面的夹角为锐角;在基板上形成像素定义层,牺牲层背离阳极层的表面经像素定义层露出;除去牺牲层,像素定义层中形成像素开口,像素开口暴露阳极层的一部分;在阳极层远离基板的一侧形成发光功能层,发光功能层包括中心部和围绕中心部设置的边缘部,中心部的厚度小于边缘部的厚度,在显示面板的平面视图中,边缘部与像素开口的侧壁重叠;在发光功能层远离阳极层的一侧形成阴极层。本申请可以提高发光功能层位于像素开口区域部分的成膜均一性,提高像素发光效率和有效发光面积。
本发明授权显示面板及其制作方法、显示装置在权利要求书中公布了:1.一种显示面板的制作方法,其特征在于,包括以下步骤: 在基板的一侧形成阳极层; 在所述阳极层远离所述基板的一侧形成牺牲层,所述牺牲层的侧面与所述牺牲层靠近所述阳极层的一面的夹角为锐角,所述牺牲层包括第一牺牲层和第二牺牲层,所述第一牺牲层靠近所述阳极层的一面的边缘在所述基板上的正投影位于所述第二牺牲层靠近所述阳极层的一面的边缘在所述基板上的正投影的外侧; 在所述基板上形成像素定义层,所述牺牲层背离所述阳极层的表面经所述像素定义层露出,所述在所述基板上形成像素定义层,所述牺牲层背离所述阳极层的表面经所述像素定义层露出的步骤包括:所述像素定义层在所述第一牺牲层的周侧围成像素开口的第一部分,所述像素定义层在所述第二牺牲层的周侧围成像素开口的第二部分,所述第二牺牲层背离所述阳极层的表面经所述像素定义层露出; 除去所述牺牲层,所述像素定义层中形成所述像素开口,所述像素开口暴露所述阳极层的一部分,在所述除去所述牺牲层的步骤包括:除去所述第二牺牲层和所述第一牺牲层; 在所述阳极层远离所述基板的一侧形成发光功能层,所述发光功能层包括中心部和围绕所述中心部设置的边缘部,所述中心部的厚度小于所述边缘部的厚度,在所述显示面板的平面视图中,所述边缘部与所述像素开口的侧壁重叠; 在所述发光功能层远离所述阳极层的一侧形成阴极层。
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