南昌大学;南昌实验室;南昌硅基半导体科技有限公司郑畅达获国家专利权
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龙图腾网获悉南昌大学;南昌实验室;南昌硅基半导体科技有限公司申请的专利一种Micro-LED器件自对准填槽与钝化的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119836078B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510000195.8，技术领域涉及：H10H29/01；该发明授权一种Micro-LED器件自对准填槽与钝化的方法是由郑畅达;孙国阳;王立;莫春兰;李璠;吴小明;陈芳;刘志华;胡民伟设计研发完成，并于2025-01-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种Micro-LED器件自对准填槽与钝化的方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种Micro‑LED器件自对准填槽与钝化的方法，包括以下步骤：提供Micro‑LED器件，Micro‑LED器件包含阵列单元和阵列单元之间的沟槽；在Micro‑LED器件上制备介质层，介质层填充沟槽并覆盖所有阵列单元；固化介质层；使用无掩膜干法刻蚀的回刻方法使介质层整面减薄，直至裸露所有阵列单元的上表面，在沟槽处形成图形化的钝化层。使用无掩膜干法刻蚀的回刻方法使介质层整面减薄，无需制备掩膜和光刻，且可通过刻蚀工艺精准调控介质层高度，工艺简单；同时，由于规避了对版工步和显影液腐蚀工步，该工艺方法能够消除对版误差带来的界面间隙和台面残留问题，能够不受形状和尺寸约束地形成连接紧密的图形化钝化层，增加钝化结构的抗蚀刻性，提升器件制造良率。
本发明授权一种Micro-LED器件自对准填槽与钝化的方法在权利要求书中公布了：1.一种Micro-LED器件自对准填槽与钝化的方法，其特征在于，包括以下步骤： 步骤S1，提供Micro-LED器件，所述Micro-LED器件包含阵列单元和阵列单元之间的沟槽；所述阵列单元的纵向高度为H0，H0≥5um； 步骤S2，在Micro-LED器件上制备介质层，所述介质层填充沟槽并覆盖所有阵列单元；所述介质层的厚度为H1，200nm≤H1-H0≤2000nm； 步骤S3，固化所述介质层； 步骤S4，使用无掩膜干法刻蚀的回刻方法使介质层整面减薄，直至裸露所有阵列单元的上表面，在沟槽处形成图形化的钝化层；所述图形化的钝化层的厚度为H2，H02≤H2≤H0。
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