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龙图腾网获悉武汉大学申请的专利一种片上拓扑超构表面及其应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119846747B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510208195.7，技术领域涉及：G02B1/00；该发明授权一种片上拓扑超构表面及其应用是由李仲阳;易成;王泽静;时阳阳;万帅设计研发完成，并于2025-02-25向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种片上拓扑超构表面及其应用在说明书摘要公布了：本发明属于微纳光学技术领域，公开了一种片上拓扑超构表面及其应用。本发明提供的片上拓扑超构表面包括从上至下的纳米砖阵列、光波导层和介质衬底层；纳米砖阵列由若干个T形拓扑超构原子组成，纳米砖阵列采用电介质材料制备而成。片上拓扑超构表面应用于多路信息复用与存储、可穿戴显示设备或智能集成光子系统。本发明能够解决现有技术中拓扑超构表面依赖金属材料来创建奇异点，会引入较大的欧姆损耗，且集成兼容性较差的问题，本发明提供的全电介质片上拓扑超构表面能够避免金属固有的欧姆损耗，并且易于与其他主流的片上光学器件兼容。

本发明授权一种片上拓扑超构表面及其应用在权利要求书中公布了：1.一种片上拓扑超构表面，其特征在于，包括：从上至下的纳米砖阵列、光波导层和介质衬底层；所述纳米砖阵列由若干个T形拓扑超构原子组成，所述纳米砖阵列采用电介质材料制备而成； 所述纳米砖阵列划分为若干个单元结构，每个所述单元结构作为一个超构原子像素；以平行于所述光波导层的工作面的两条边的方向建立xoy坐标系，所述超构原子像素在x方向和y方向上具有相同的周期； 每个所述单元结构包含一个所述T形拓扑超构原子，所述T形拓扑超构原子由具有第一长度L1、宽度W和高度H1的第一长方形纳米砖，以及具有第二长度L2、所述宽度W和所述高度H1的第二长方形纳米砖组成，且所述T形拓扑超构原子附带转角θ；所述第一长方形纳米砖和所述第二长方形纳米砖的中心点距离为d，所述转角θ为所述T形拓扑超构原子在周期内围绕其中心旋转的角度； 通过电磁仿真优化得到多个组类的单元结构，优化得到的多个组类的单元结构均具有拓扑特性；针对每个超构原子像素，从多个组类的单元结构中挑选出相位分布与目标拓扑相位最接近的一个组类的单元结构进行排布，并根据目标几何相位确定每个T形拓扑超构原子的转角θ； 其中，不同组类的单元结构具有不同的第一长度L1和或中心点距离d，不同组类的单元结构具有相同的第二长度L2、宽度W和高度H1。

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