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龙图腾网获悉无锡市晶源微电子股份有限公司申请的专利隔离复合PNP管、高压静电防护结构及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119894012B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510331958.7，技术领域涉及：H10D10/60；该发明授权隔离复合PNP管、高压静电防护结构及电子设备是由邓晓军设计研发完成，并于2025-03-20向国家知识产权局提交的专利申请。

本隔离复合PNP管、高压静电防护结构及电子设备在说明书摘要公布了：本发明涉及静电防护技术领域，具体公开了一种隔离复合PNP管、高压静电防护结构及电子设备，包括：P型衬底、设置在P型衬底上的P型外延层以及设置在P型衬底与P型外延层之间的N型埋层；在P型外延层的表面设置多个间隔的有源区；位于外侧区域的有源区连接金属线后作为隔离地端的引出端，位于中心区域的多个有源区连接金属线后分别作为纵向PNP管的集电极、横向PNP管的集电极以及纵向PNP管与横向PNP管共用的基极与发射极的引出端，位于外侧区域与中心区域之间的有源区连接金属线后作为隔离端口的引出端。本发明提供的隔离复合PNP管应用于高压静电防护结构中时既具有较强的高压静电防护能力又能够有效防止负脉冲触发闩锁。

本发明授权隔离复合PNP管、高压静电防护结构及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种隔离复合PNP管，其特征在于，包括： P型衬底、设置在P型衬底上的P型外延层以及设置在所述P型衬底与所述P型外延层之间的N型埋层； 在所述P型外延层的表面依次设置多个间隔设置的有源区，且每两个相邻的有源区之间设置场区，所述有源区和所述场区均沿着所述P型外延层的表面向所述P型衬底的方向延伸； 其中，位于外侧区域的有源区连接金属线后能够作为隔离地端的引出端，位于中心区域的多个有源区连接金属线后能够分别作为纵向PNP管的集电极、横向PNP管的集电极以及纵向PNP管与横向PNP管共用的基极与发射极的引出端，位于外侧区域与中心区域之间的有源区连接金属线后能够作为隔离端口的引出端； 所述纵向PNP管的集电极的引出端与横向PNP管的集电极的引出端连接，所述纵向PNP管与横向PNP管共用的基极的引出端与发射极的引出端连接，所述隔离地端的引出端用于连接电源电路的地线引脚，所述隔离端口的引出端用于连接电源电路的高压引脚； 其中，在所述P型外延层的表面依次间隔设置第一有源区、第二有源区、第三有源区、第四有源区、第五有源区、第六有源区、第七有源区、第八有源区和第九有源区， 位于所述第一有源区和第九有源区的位置均设置深P阱区，在所述深P阱区内均设置P阱区，以及在所述P阱区内均设置P+注入扩散区，所述第一有源区和第九有源区的位置均连接金属线后作为隔离地端的引出端； 位于所述第二有源区和第八有源区的位置均设置深N阱区，在所述深N阱区内均设置N阱区，以及在所述N阱区内均设置N+注入扩散区，所述第二有源区和第八有源区的位置均连接金属线后作为隔离端口的引出端； 位于所述第三有源区至第七有源区的位置均设置深P阱区，其中，在所述第三有源区和所述第七有源区对应的深P阱区内均设置P阱区，以及在所述P阱区内均设置P+注入扩散区，所述第三有源区和第七有源区的位置均连接金属线后作为纵向PNP的集电极的引出端；在第四有源区至第六有源区对应的深P阱区内均设置N阱区，以及在所述第四有源区和第六有源区对应的所述N阱区内均设置N+注入扩散区，所述第四有源区和第六有源区的位置均连接金属线后作为所述纵向PNP管与横向PNP管共用的基极的引出端；所述第五有源区的位置连接金属线后作为所述横向PNP管的集电极的引出端以及所述纵向PNP管与横向PNP管共用的发射极的引出端。

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