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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利半导体结构的制备方法及半导体结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119922904B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311431583.9，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构是由冯红磊;王威;曾明;平延磊;艾学正设计研发完成，并于2023-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体结构的制备方法及半导体结构在说明书摘要公布了：本发明涉及一种半导体结构的制备方法及半导体结构。半导体结构的制备方法包括：提供衬底；于衬底上形成叠层结构，叠层结构包括由下至上依次叠置的介质层及导电层；于各第一端部的表面形成连续分布的第一覆盖层；去除位于各第一端部之间间隙区域内的第二填充层，以形成第二沟槽，第二沟槽的侧壁暴露出沿第二方向依次交替排布的第一覆盖层以及沟道材料层；去除被第二沟槽侧壁暴露出的各层沟道材料层，以形成沟道层，各层沟道层与各层第二端部一一对应接触。由于去除了与各层介质层相接触的沟道材料层，并保留了与各层导电层相接触的沟道材料层以形成沟道层，从而能够避免器件产生寄生晶体管，从而能够避免器件的性能下降。

本发明授权半导体结构的制备方法及半导体结构在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，包括： 提供衬底； 于所述衬底上形成叠层结构，所述叠层结构包括由下至上依次叠置的介质层及导电层；各层所述导电层包括沿第一方向延伸的主体部以及位于所述主体部两侧的多个分支部，各所述分支部之间还具有间隙区域，各所述分支部与各所述间隙区域沿所述第一方向交替排布，各所述分支部的第一端部与所述主体部相连接，各所述分支部的第二端部远离所述主体部设置；各所述间隙区域内填充有第一填充层； 去除位于各所述第一端部之间所述间隙区域内的第一填充层，于各所述第一端部的表面形成连续分布的第一覆盖层；所述第一覆盖层的内壁填充有第二填充层； 去除部分所述叠层结构，以形成沿第二方向贯穿各层所述第一端部的第一沟槽；所述第一方向与所述第二方向相交； 于所述第一沟槽的内壁依次沉积沟道材料层以及隔离层，并于所述第一沟槽内填充栅导电层； 去除位于各所述第一端部之间所述间隙区域内的所述第二填充层，以形成第二沟槽，所述第二沟槽的侧壁暴露出沿所述第二方向依次交替排布的所述第一覆盖层以及所述沟道材料层； 去除被所述第二沟槽侧壁暴露出的各层所述沟道材料层，以形成沟道层，各层所述沟道层与各层所述第二端部一一对应接触。

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