湖北九峰山实验室陈旭获国家专利权
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龙图腾网获悉湖北九峰山实验室申请的专利一种转角度晶体界面的样品制备与表征方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119936077B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510054365.0，技术领域涉及：G01N23/04；该发明授权一种转角度晶体界面的样品制备与表征方法是由陈旭;杨安丽;张洁琼;周长吉;李凯旋;杨冰;麦志洪;沈晓安设计研发完成，并于2025-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种转角度晶体界面的样品制备与表征方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种转角度晶体界面的样品制备与表征方法，适用于两个晶体的界面处发生错位的样品，包括样品制备、两个晶体的相对转角θ测量步骤；样品制备：切割方向与界面成一定角度进行制样，将薄片提出，得到的薄片有3个薄区：顶部材料A晶体、顶部材料A底部材料B晶体混合区、底部材料B晶体；转角θ测量：测试时电子束方向与顶部样品旋转轴平行，通过解析3个薄区的晶体学信息，直接测量转角θ。本方法通过对3个薄区的TEM分析，能够准确测量顶部晶体相对底部晶体的转角，并且提高TEM样品制备和分析实验上的容错率。此外，该制样技术能够用于监测样品在力学、热学、光学、电学等物理性质上，随着其尺寸从微米级减少至纳米级所发生的变化。
本发明授权一种转角度晶体界面的样品制备与表征方法在权利要求书中公布了：1.一种转角度晶体界面的样品制备与表征方法，其特征在于，适用于两个晶体的界面处发生错位的样品，包括样品制备、两个晶体的相对转角θ测量步骤； 所述样品制备：切割方向与界面成一定角度进行制样，将薄片提出，得到的薄片有3个薄区：顶部材料A晶体、顶部材料A底部材料B晶体混合区、底部材料B晶体；所述一定角度为0.1-89°； 所述转角θ测量：测试时电子束方向与顶部材料A晶体的晶体学旋转轴平行，通过分别解析3个薄区的晶体学信息，直接测量转角θ。
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