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龙图腾网获悉广州华星光电半导体显示技术有限公司申请的专利阵列基板和显示面板获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119947257B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510121424.1，技术领域涉及：H10D86/60；该发明授权阵列基板和显示面板是由赵军;赵斌;肖军城;闫晓林;乔磊;张志江;王帅毅;余道平;高鹏设计研发完成，并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本阵列基板和显示面板在说明书摘要公布了：本申请提供一种阵列基板和显示面板，阵列基板包括衬底以及设置在所述衬底上的第一晶体管和第二晶体管，第一晶体管的第一有源层的迁移率不同于第二晶体管的第二有源层的迁移率，第一有源层与第二有源层之间设置有至多一层栅绝缘层，所述第一有源层位于所述第二有源层的非垂直方向，第一晶体管的第一栅极、第一有源层、第一源极中的一者与第二晶体管的第二栅极同层设置，第一晶体管的第一源极、第一漏极与第二晶体管的第二源极、第二漏极同层设置；如此，通过使第一晶体管和第二晶体管的部分膜层共用，可以简化膜层结构，提升器件的稳定性，提升良率。

本发明授权阵列基板和显示面板在权利要求书中公布了：1.一种阵列基板，其特征在于，包括衬底以及设置在所述衬底上的第一晶体管和第二晶体管； 所述第一晶体管包括第一有源层、第一栅极、第一源极以及第一漏极； 所述第二晶体管包括第二有源层、第二栅极、第二源极以及第二漏极； 其中，所述第一有源层的迁移率不同于所述第二有源层的迁移率，所述第一有源层与所述第二有源层之间设置有至多一层栅绝缘层，所述第一有源层位于所述第二有源层的非垂直方向，所述第一栅极、所述第一有源层、所述第一源极中的一者与所述第二栅极同层设置，所述第一源极、所述第一漏极、所述第二源极、所述第二漏极同层设置； 所述第二有源层位于所述第一有源层远离所述衬底的一侧，所述第一有源层和所述第二有源层之间设置有第一栅绝缘层，所述第二源极和所述第二漏极位于所述第二有源层远离所述第一有源层的一侧； 所述第一栅极与所述第一源极同层设置，所述第二栅极与所述第一有源层同层设置，所述第一源极和所述第一漏极位于所述第一栅绝缘层远离所述第一有源层的一侧。

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