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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利一种二硫化钼纳米孔芯片及其制备方法与应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119954205B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510140177.X，技术领域涉及：G01N27/26；该发明授权一种二硫化钼纳米孔芯片及其制备方法与应用是由冯思路;洪俊杰;陈涛设计研发完成，并于2025-02-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种二硫化钼纳米孔芯片及其制备方法与应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种二硫化钼纳米孔芯片及其制备方法与应用，属于环境污染物检测技术领域。本发明首先制备PMMA‑MoS2薄膜，然后将其转移至氮化硅表面。通过氦离子束刻蚀技术和扫描电子显微镜技术结合在二硫化钼薄膜上形成纳米孔。此传感器可用于高效检测环境中的铜Cu‑硫氰酸盐复合物，具备高灵敏度、快速响应和良好的选择性的特点，适用于环境监测和污染物检测等领域。

本发明授权一种二硫化钼纳米孔芯片及其制备方法与应用在权利要求书中公布了：1.一种二硫化钼纳米孔芯片在铜-硫氰酸盐复合物检测中的应用，其特征在于，所述二硫化钼纳米孔芯片的制备步骤如下： 在基底表面先沉积MoS2层然后在MoS2层表面涂覆聚甲基丙烯酸甲酯溶液，经固化，得到附着PMMA-MoS2薄膜的基底； 将附着PMMA-MoS2薄膜的基底置于碱液中浸泡使PMMA-MoS2薄膜和基底分离； 将PMMA-MoS2薄膜转移至氮化硅芯片上，顺次经退火和PMMA去除，得到二硫化钼芯片； 对二硫化钼芯片进行纳米孔加工和尺寸调控，得到所述二硫化钼纳米孔芯片； 所述碱液包括氢氧化钠；所述碱液的浓度为2molL；所述退火的温度为100~120℃，时间为1~2h； 通过氦离子束刻蚀对二硫化钼芯片进行纳米孔加工和尺寸调控；所述氦离子束刻蚀的参数包括：光阑尺寸为5μm，离子束流为3pA，圆形图案，图案直径为30nm，驻留时间为1000μs，像素大小为1nm2，离子剂量为20~60nCμm2，间隔为80nm，所形成的纳米孔呈椭圆形，椭圆形长短轴比为1.05~1.15； 通过扫描电子显微镜对二硫化钼芯片进行纳米孔加工和尺寸调控；所述扫描电子显微镜的参数包括：加速电压为0.5~5kV，加工高度为8mm，放大倍数为100000倍，扫描范围为1300nm×950nm，电流为2μA，每次辐照的时长为3s； 所述二硫化钼纳米孔芯片的制备方法还包括在远离PMMA的一端采用化学气相沉积技术进行碳沉积，形成均匀且致密的碳层；具体参数为：碳沉积的参数设置包括沉积温度为500~700℃，沉积时间为20~40min，气体流量为40~60sccm，沉积速率为0.1~0.3nms，气体压力为0.8~1.2Torr，碳源采用乙炔气体。

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