武汉工程大学李星桥获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉工程大学申请的专利一种高稳定性、高导电PEDOT纳米分散体的制备方法及应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119955073B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510126741.2，技术领域涉及：C08G61/12；该发明授权一种高稳定性、高导电PEDOT纳米分散体的制备方法及应用是由李星桥;李昱达;向华香;高博文设计研发完成，并于2025-01-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高稳定性、高导电PEDOT纳米分散体的制备方法及应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种高稳定性、高导电PEDOT纳米分散体的制备方法及应用，涉及光电材料技术领域。该PEDOT纳米分散体包括PEDOT和分散剂，质量比为1：x，x为2.5～25；其制备为：1将EDOT单体与分散剂加入水中，再加入酸调pH，随后加入氧化剂，室温搅拌反应；其中，EDOT单体与分散剂的质量比为1：y，yx；2监控氧化聚合反应，当在PEDOT产量和分散剂的重量比达到1：x时，膜分离去除未反应原料、终止反应，得高稳定性、高导电PEDOT纳米分散体。所得PEDOT纳米分散体同时具有高稳定性和高导电性，具有较低的zeta电位和较高的面内外电导率，将其作为空穴传输材料可显著提高有机光伏电池效率。
本发明授权一种高稳定性、高导电PEDOT纳米分散体的制备方法及应用在权利要求书中公布了：1.一种高稳定性、高导电PEDOT纳米分散体的制备方法，所述PEDOT纳米分散体包括PEDOT和分散剂，PEDOT和分散剂的质量比为1：x； 其特征在于，所述制备方法具体包括以下步骤： 1将3,4-乙撑二氧噻吩单体与分散剂加入水中，再加入酸调pH，随后加入氧化剂，室温搅拌反应；其中： 3,4-乙撑二氧噻吩单体与分散剂的质量比为1：y，y为0.10x~0.35x，y为2.5； 所述氧化剂为过硫酸盐与铁盐的二元复配型氧化剂；过硫酸盐、铁盐及3,4-乙撑二氧噻吩的摩尔比为1.2~3：0.01~0.5：1； 2监测氧化聚合反应，当在PEDOT产量和分散剂的重量比达到1：x时，膜分离去除未反应原料、终止反应，得高稳定性、高导电PEDOT纳米分散体。
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