西安电子科技大学姚丹阳获国家专利权
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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利基于氮化物分层包覆的氮化铝波导结构及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119960109B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510184878.3，技术领域涉及：G02B6/122；该发明授权基于氮化物分层包覆的氮化铝波导结构及其制备方法是由姚丹阳;冉旭;陆小力;马晓华;郝跃设计研发完成，并于2025-02-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于氮化物分层包覆的氮化铝波导结构及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于氮化物分层包覆的氮化铝波导结构及其制备方法，主要解决现有技术中由于氧渗透导致电光调制器长期工作稳定性不佳的问题。方案包括：在硅衬底上设计由顶电极、两个底电极、氮化物包覆波导结构、氧化物盖层和氧化物埋层构成的波导调制区；其中氮化物包覆波导结构位于埋层上表面，盖层覆盖在波导结构上；顶电极位于波导结构的正上方，并与盖层上表面紧密接触；两个底电极分别位于波导的左右两侧。本发明通过制备基层氮化层实现基础防护，并在波导功能层顶部实现全包裹式氧阻隔，隔绝氧元素对材料的污染；能够避免基于AlN波导的电光调制器等光电子器件发生性能退化现象，有效提升器件电光调制效率与可靠性。
本发明授权基于氮化物分层包覆的氮化铝波导结构及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种基于氮化物分层包覆的氮化铝波导结构，其特征在于，自下而上包括：硅衬底1和波导调制区域2； 所述波导调制区域2，包括顶电极21、两个底电极、氮化物包覆波导结构24、氧化物盖层25和氧化物埋层26；其中氮化物包覆波导结构24位于氧化物埋层26上表面，氧化物盖层25覆盖在氮化物包覆波导结构24之上； 所述氮化物包覆波导结构24，包括氮化物盖层241、波导242和氮化物底层243，且波导242位于氮化物底层243上表面中间位置，氮化物盖层241覆盖在波导242和氮化物底层243上； 所述顶电极21位于氮化物包覆波导结构24的正上方中间位置，并与氧化物盖层25上表面紧密接触；两个底电极包括第一底电极22和第二底电极23，分别位于波导242的左侧和右侧。
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