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龙图腾网获悉化合积电(厦门)半导体科技有限公司申请的专利一种生长超大尺寸金刚石多晶膜的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119980461B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510181063.X，技术领域涉及：C30B28/14；该发明授权一种生长超大尺寸金刚石多晶膜的方法是由陈祺;张星设计研发完成，并于2025-02-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种生长超大尺寸金刚石多晶膜的方法在说明书摘要公布了：本发明提供一种生长超大尺寸金刚石多晶膜的方法，包括以下步骤：S1，在室温条件下对单晶硅晶圆进行清洗后干燥；S2，对单晶硅晶圆进行预处理种晶，使硅表面覆盖一层金刚石纳米晶层，放入MPCVD设备中；S3，对腔体抽真空，随后通入氢气进行吹扫，随后再次抽真空；随后通入氢气并且调控气压至5~8torr，开始启辉点燃等离子体；S4，以4.5~5.5KWmin的速率升高微波功率至70~75KW，以10‑30torrmin的速率升高气压至165~180torr，以60℃min的速率升温至900~950℃；S5，通入生长气体：氢气流量5000~6000sccm，甲烷流量100~150sccm，氧气流量5~8sccm，氮气流量1~2sccm，氩气流量800~1000sccm；S6，生长结束后，以30℃min的速率进行降温，直到下降为室温后对腔体通入氮气进行破真空，即得所述超大尺寸金刚石多晶膜。该超大尺寸金刚石多晶膜的尺寸达12英寸。

本发明授权一种生长超大尺寸金刚石多晶膜的方法在权利要求书中公布了：1.一种生长超大尺寸金刚石多晶膜的方法，其特征在于，包括以下步骤： S1，在室温条件下对单晶硅晶圆进行清洗后干燥； S2，对单晶硅晶圆进行预处理种晶，使硅表面覆盖一层金刚石纳米晶层，放入MPCVD设备中；所述MPCVD设备为915MHZ433MHZ的MPCVD设备； S3，对腔体抽真空，随后通入氢气进行吹扫，随后再次抽真空；随后通入氢气并且调控气压至5~8torr，开始启辉点燃等离子体； S4，以4.5~5.5KWmin的速率升高微波功率至70~75KW，以10-30torrmin的速率升高气压至165~180torr，以60℃min的速率升温至900~950℃； S5，通入生长气体：氢气流量5000~6000sccm，甲烷流量100~150sccm，氧气流量5~8sccm，氮气流量1~2sccm，氩气流量800~1000sccm； S6，生长结束后，以30℃min的速率进行降温，直到下降为室温后对腔体通入氮气进行破真空，即得所述超大尺寸金刚石多晶膜。

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