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北京交通大学吴振升获国家专利权

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龙图腾网获悉北京交通大学申请的专利一种基于磁力耦合的感应取电效率提升方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN119989614B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202411813885.7,技术领域涉及:G06F30/20;该发明授权一种基于磁力耦合的感应取电效率提升方法是由吴振升;杨海涛;孙鹏设计研发完成,并于2024-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。

一种基于磁力耦合的感应取电效率提升方法在说明书摘要公布了:本发明提供了一种基于磁力耦合的感应取电效率提升方法,具体涉及一种基于环境特性匹配机制的可变机械性能磁力耦合剂的感应取电效率提升方法;本发明通过设计锥入度初始值估算公式,针对不同环境经验值确定磁力耦合剂膏体机械指标,通过调整单一组分比例,在不影响其他性能的情况下调整耦合剂膏体硬度、温度稳定性等性能以配置初步的磁力耦合剂,再通过对该磁力耦合剂的效果测试进行误差修正,补偿机械特性后得到最终膏体锥入度以配置最终耦合剂膏体,使感应取电装置磁力耦合性能最优化,提升感应取电效率;本发明是基于纤维材料学表征手段的环境特性匹配效果评估办法,对磁力耦合剂膏体组分比例进行反馈补偿,实现特定应用环境感应取电效率提升。

本发明授权一种基于磁力耦合的感应取电效率提升方法在权利要求书中公布了:1.一种基于磁力耦合的感应取电效率提升方法,其特征在于,包括以下步骤: S1.环境和磁路特性确定及经验参数设定:使用锥入度表征磁力耦合剂膏体机械强度,建立包括磁芯磁导率、饱和磁通密度、磁芯截面积、环境温度、环境湿度、震动烈度在内的锥入度初始值估算公式: 其中,Z为锥入度;为锥入度经验参数,取值范围为60~80;为调整系数;为磁芯磁导率;S为磁芯截面积;t为环境温度;R为环境湿度;A为震动烈度;T为饱和磁通密度; S2.磁力耦合剂制备及机械特性调整:根据S1所述锥入度初始值估算公式计算锥入度,选取并调整磁力耦合剂的原料、比例至符合估算的锥入度制成初步的磁力耦合剂; S3.磁力耦合剂试用及效果评估:将S2制备的初步的磁力耦合剂涂抹在感应取电装置磁路接触面上,并安装设备,参考实际环境进行加速老化运行,对感应取电效率和磁路接触面劣化速度进行检测,检测完成后对效果进行综合评估得到性能误差∆e,范围为0~1; S4.耦合剂机械特性补偿:基于S3测量所得的性能误差∆e,补偿机械特性,得到最终膏体锥入度,根据所述最终膏体锥入度Z2配置最终耦合剂膏体, 其中,Z2为补偿后的最终耦合剂膏体锥入度,为调整范围。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人北京交通大学,其通讯地址为:100000 北京市海淀区西直门外上园村3号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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