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龙图腾网获悉深圳优晶微电子科技有限公司申请的专利一种具有防冲击结构的半导体场效应管获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120015706B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510168063.6，技术领域涉及：H01L23/00；该发明授权一种具有防冲击结构的半导体场效应管是由王胜军;徐泽霖;刘轶亮设计研发完成，并于2025-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种具有防冲击结构的半导体场效应管在说明书摘要公布了：本发明涉及半导体场效应管技术领域，具体地说是一种具有防冲击结构的半导体场效应管，包括第一防护主体、衬底、第二防护主体、漏极D、栅极G和源极S,所述漏极D、栅极G和源极S均匀固定连接在所述衬底的底端。本发明通过设置的第一防护主体和第二防护主体可以对进行充分的防护作用，并且设置的各个温度传感器可以对使用中的衬底温度检测，当检测到温度较高时，微型散热器自动的运行对衬底进行散热，散热时微型散热器可以向第二防护卡罩的内部吹入高速的气体，进入至第二防护卡罩内部的气体通过第二输送连通槽和输送连通管可以进入至连通孔和第一输送连通槽的内部，从而可以对衬底的两侧同步的散热处理。

本发明授权一种具有防冲击结构的半导体场效应管在权利要求书中公布了：1.一种具有防冲击结构的半导体场效应管，包括第一防护主体1、衬底2、第二防护主体3、漏极D4、栅极G5和源极S6,其特征在于：所述漏极D4、栅极G5和源极S6均匀固定连接在所述衬底2的底端，所述第一防护主体1和所述第二防护主体3卡固设置在所述衬底2的外部，所述第二防护主体3包括主防护部16和辅助防护部17，所述辅助防护部17设置在所述主防护部16的底端； 所述第一防护主体1包括排放槽7、固定板8、第一防护卡罩9、连通孔10、第一固定板11、第一挤压盘12、第一输送连通槽13和第一转动调节螺纹柱14，所述第一固定板11固定连接在所述第一防护卡罩9的两侧，所述固定板8均匀固定安装在所述第一防护卡罩9的上端，所述排放槽7均匀贯穿开设在所述第一防护卡罩9的上端，所述第一输送连通槽13均匀开设在所述第一防护卡罩9的内部两侧，所述连通孔10均匀开设在所述第一防护卡罩9的两侧，且所述连通孔10与所述第一输送连通槽13的内部连通，所述第一转动调节螺纹柱14均匀螺纹贯穿插接在所述第一防护卡罩9上，所述第一挤压盘12转动连接在所述第一转动调节螺纹柱14的端头； 通过旋拧第一转动调节螺纹柱14可以控制第一挤压盘12前后移动调节； 所述主防护部16包括微型散热器19、第二转动调节螺纹柱21、第二防护卡罩22、固定连接螺栓24、第二挤压盘30和第二固定板31，所述微型散热器19固定安装在所述第二防护卡罩22的中部，所述第二固定板31固定连接在所述第二防护卡罩22的两侧，所述固定连接螺栓24对称螺纹贯穿插接在所述第二固定板31上，所述第二转动调节螺纹柱21均匀螺纹贯穿插接在所述第二防护卡罩22上，所述第二挤压盘30转动连接在所述第二转动调节螺纹柱21的端头； 通过旋拧第二转动调节螺纹柱21可以控制第二挤压盘30前后移动调节； 所述第二防护卡罩22的两侧中部固定安装有夹持框23，所述第二防护卡罩22上均匀固定安装有温度传感器18，且所述温度传感器18均匀分布在所述微型散热器19的外部。

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