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龙图腾网获悉化合积电(厦门)半导体科技有限公司申请的专利一种超大尺寸用金刚石散热的硅器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120033084B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510180825.4，技术领域涉及：H01L21/50；该发明授权一种超大尺寸用金刚石散热的硅器件及其制备方法是由陈祺;张星设计研发完成，并于2025-02-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种超大尺寸用金刚石散热的硅器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明提供超大尺寸用金刚石散热的硅器件及其制备方法，包括：在室温条件下对单晶硅晶圆进行清洗后干燥；对单晶硅晶圆进行预处理种晶，使硅表面覆盖一层金刚石纳米晶层，放入MPCVD设备中；对腔体抽真空，随后通入氢气进行吹扫，随后再次抽真空；随后通入氢气并且调控气压至5~8torr，开始启辉点燃等离子体；以4.5~5.5KWmin的速率升高微波功率至70~75KW，升高气压至165~180torr，升温至900~950℃；通入生长气体；生长结束后，降温，直到下降为室温后对腔体通入氮气进行破真空，即得所述超大尺寸金刚石多晶膜，再经过镀膜、镀铜和键合，制备成硅器件。该硅器件散热性能优。

本发明授权一种超大尺寸用金刚石散热的硅器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种超大尺寸用金刚石散热的硅器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： S1，在室温条件下对单晶硅晶圆进行清洗后干燥； S2，对单晶硅晶圆进行预处理种晶，使硅表面覆盖一层金刚石纳米晶层，放入MPCVD设备中；所述MPCVD设备为915MHZ或433MHZ的MPCVD设备； S3，对腔体抽真空，随后通入氢气进行吹扫，随后再次抽真空；随后通入氢气并且调控气压至5~8torr，开始启辉点燃等离子体； S4，以4.5~5.5KWmin的速率升高微波功率至70~75KW，以10~30torrmin的速率升高气压至165~180torr，以55~65℃min的速率升温至900~950℃； S5，通入生长气体：氢气流量5000~6000sccm，甲烷流量100~150sccm，氧气流量5~8sccm，氮气流量1~2sccm，氩气流量800~1000sccm； S6，生长结束后，以25~35℃min的速率进行降温，直到下降为室温后对腔体通入氮气进行破真空，得超大尺寸金刚石多晶膜； S7，对超大尺寸金刚石多晶膜的硅面进行研磨抛光，去掉部分的硅基，保留厚度50nm~50μm的硅基； S8，对超大尺寸金刚石多晶膜的硅表面进行镀膜，镀膜材料为钛、铬、镍中的一种或几种； S9，对镀膜完成后超大尺寸金刚石多晶膜的硅面进行镀铜，镀铜厚度为10nm~2000nm； S10，取两块已镀铜的超大尺寸金刚石多晶膜，对二者的铜表面进行清洁与表面处理； S11，将二者的铜表面进行铜-铜键合，键合步骤为：在大气中进行室温对准和预粘合，然后在180~220°C的温度和1.8~2.2MPa的压力下，在真空中键合25~35min。

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