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电子科技大学张然获国家专利权

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龙图腾网获悉电子科技大学申请的专利一种带有自适应偏置电路的高效率高线性度功率放大器获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120090579B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510225284.2,技术领域涉及:H03F1/32;该发明授权一种带有自适应偏置电路的高效率高线性度功率放大器是由张然;王政设计研发完成,并于2025-02-27向国家知识产权局提交的专利申请。

一种带有自适应偏置电路的高效率高线性度功率放大器在说明书摘要公布了:本发明公开的一种带有自适应偏置电路的高效率高线性度功率放大器。本发明通过下述技术方案实现:带有自适应偏置电路的高效率高线性度功率放大器,包括:电压参考源电路、自适应偏置电路和功率放大器。采用自适应偏置电路为功率放大器提供一个随输入信号变化而动态调整的偏置电压,保障了在不同供电电压下功率放大器实现相对恒定的增益,缓解了低功耗偏置电压下功率放大器在输入功率增大时出现增益压缩的问题,大幅提高了低功耗功率放大器的线性度及其功率附加效率。本发明涉及一种无线通信领域射频接收机中功率放大器,尤其涉及一种基于CMOS工艺的带有自适应偏置电路的高效率高线性度功率放大器。

本发明授权一种带有自适应偏置电路的高效率高线性度功率放大器在权利要求书中公布了:1.带有自适应偏置电路的高效率高线性度功率放大器,其特征在于:包括并联在公共端GND与电源端VDD之间的电压参考源电路1、自适应偏置电路1和功率放大器1; 所述电压参考源电路1的参考电压Vref1输出端与自适应偏置电路1的参考电压Vref1输入端连接; 所述自适应偏置电路1的偏置电压Vb1输出端与功率放大器1的偏置电压Vb1输入端连接; 所述自适应偏置电路1的感应信号交流电压Va1输入端与功率放大器1的感应信号交流电压Va1输出端连接; 在射频输入信号较小时,偏置电压的Vb1与电压参考源电路1提供的参考电压Vref1相当;在输入射频信号较大时,直流偏置电压Vb1逐渐增大; NMOS管NM6的栅极与运算跨导放大器OTA1输出端OUT1相连,NMOS管NM6的漏极连接在电源端VDD上,NMOS管NM6的源极与电阻R5的一端、以及自适应偏置电路1的偏置电压Vb1输出端相连; 电阻R5的一端与NMOS管NM6的源极、以及自适应偏置电路1的偏置电压Vb1输出端相连,电阻R5的另一端与电阻R6的一端、以及运算跨导放大器OTA1的输入负端IN1-相连; 电阻R6的一端与电阻R5的另一端、以及运算跨导放大器OTA1的输入负端IN1-相连,电阻R6的另一端与电压参考源电路3的参考电压Vref3输出端相连; 电阻R3的一端与运算跨导放大器OTA1的输入正端IN1+、以及电阻R4的一端相连,电阻R3的另一端与电压参考源电路2的参考电压Vref2输出端相连; 电阻R4的一端与运算跨导放大器OTA1的输入正端IN1+、以及电阻R3的一端相连,电阻R4的另一端与电压参考源电路1的参考电压Vref1输出端相连; 电压参考源电路2的感应信号交流电压Va2输入端与自适应偏置电路1的感应信号交流电压Va1输入端相连; BJT管Q1的集电极与BJT管Q1的基极、PMOS管PM4的栅极、电阻R8的一端、以及电压参考源电路2的感应信号交流电压Va2输入端相连,BJT管Q1的射极连接在公共端GND上; PMOS管PM4的栅极与BJT管Q1的基极、BJT管Q1的集电极、电阻R8的一端、以及电压参考源电路2的感应信号交流电压Va2输入端相连,PMOS管PM4的源极连接在电源端VDD上,PMOS管PM4的漏极与电阻R7的一端、以及电压参考源电路2的参考电压Vref2输出端相连; 电阻R8的一端与BJT管Q1的基极、PMOS管PM4的栅极、BJT管Q1的集电极、以及电压参考源电路2的感应信号交流电压Va2输入端相连,电阻R8的另一端连接在电源端VDD上; 电阻R7的一端与PMOS管PM4的漏极、以及电压参考源电路2的参考电压Vref2输出端相连,电阻R7的另一端连接在公共端GND上。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人电子科技大学,其通讯地址为:611731 四川省成都市高新区(西区)西源大道2006号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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