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臬正半导体科技(南京)有限公司许顺贵获国家专利权

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龙图腾网获悉臬正半导体科技(南京)有限公司申请的专利一种磁吸治具金属化镀膜方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120099495B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510303468.6,技术领域涉及:C23C16/455;该发明授权一种磁吸治具金属化镀膜方法是由许顺贵;鲍刚华设计研发完成,并于2025-03-14向国家知识产权局提交的专利申请。

一种磁吸治具金属化镀膜方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种磁吸治具金属化镀膜方法,涉及纳米镀层的原子层沉积技术领域,包括,使用超声波清洗机清洁基底表面,将清洁后的基底转移至低温等离子体设备内,选择氩气进行等离子体激活处理;调配前驱体溶液,并在惰性气体保护下储存,将等离子体激活后的基底安装到ALD的夹具中;启动ALD,设定每次循环的反应气体和循环参数,每次定量将前驱体溶液输送到ALD反应腔室,进行沉积操作;本发明通过使用超声波清洗机清洁基底表面,并选择氩气进行等离子体激活处理,确保了基底与镀层之间的强结合力,提升了镀层的稳定性和耐用性,解决了镀层附着力不足的问题。

本发明授权一种磁吸治具金属化镀膜方法在权利要求书中公布了:1.一种磁吸治具金属化镀膜方法,其特征在于:包括, 使用超声波清洗机清洁基底表面,将清洁后的基底转移至低温等离子体设备内,选择氩气进行等离子体激活处理; 调配前驱体溶液,并在惰性气体保护下储存,将等离子体激活后的基底安装到ALD的夹具中,具体步骤如下, 将四乙氧基硅烷溶解在有机溶剂中,得到前驱体溶液,并使用氮气作为保护气体进行储存; 使用氮气清除反应腔室内的杂质,将经过等离子体激活处理的基底从低温等离子体设备转移到ALD的装载区,将基底固定在夹具中; 启动ALD,设定每次循环的反应气体和循环参数,每次定量将前驱体溶液输送到ALD反应腔室,进行沉积操作; 设定反应腔室环境参数范围,使用集成的温度传感器、湿度传感器和压力传感器实时监测沉积过程中的环境参数,检测到偏离反应腔室环境参数范围的情况时,自动触发调整措施; 关闭ALD,形成纳米镀层,收集纳米镀层特征参数,根据纳米镀层特征参数对纳米镀层进行低温退火处理,得到镀层样品,具体步骤如下, 完成沉积操作后,关闭ALD的反应气体供应和前驱体溶液输送通道; 让反应腔室的温度自然降温; 使用集成的测量仪器收集纳米镀层特征参数; 所述纳米镀层特征参数是指纳米镀层的结晶质量、均匀性、附着力、内应力和耐腐蚀性; 根据历史纳米镀层特征参数设置纳米镀层状态参数,对比纳米镀层特征参数和纳米镀层状态参数,记录纳米镀层特征参数的偏差情况形成状态对比结果; 根据状态对比结果对纳米镀层设定低温退火温度和退火时长,并进行退火处理,得到镀层样品; 如果纳米镀层的结晶质量、均匀性、附着力、内应力和耐腐蚀性均达标,将退火温度设定在200摄氏度,持续时间为30分钟; 如果纳米镀层的结晶质量、均匀性、附着力、内应力和耐腐蚀性均不达标,将低温退火温度提升至220摄氏度到250摄氏度之间,并将退火时长延长至60分钟至90分钟,以优化镀层的整体性能; 如果结晶质量不达标,适当提高退火温度,促进晶体结构的重排和优化; 如果均匀性偏差大于5%,延长退火时间,确保温度均匀分布,减少局部差异; 如果附着力小于10N,提高退火温度并延长退火时间,增强镀层与基底之间的结合力; 如果内应力大于100MPa,适当降低退火温度或延长退火时间,缓解内部应力; 如果耐腐蚀性不达标,提高退火温度并延长退火时间,改善镀层的致密度和化学稳定性; 采用X射线衍射、扫描电子显微镜、原子力显微镜和椭圆偏振光谱仪分析镀层样品的微观结构和物理特性,形成镀层样品特征数据; 根据镀层样品特征数据与历史镀层样品特征数据,判断镀层样品是否达标,镀层样品不达标时,进行修正,直至镀层样品达标,具体步骤如下, 根据历史镀层样品特征数据设置性能基准参数; 对比镀层样品特征数据与性能基准参数,得到性能对比结果; 对于镀层样品特征数据全部符合性能基准参数的性能对比结果,判断为达标,对于镀层样品特征数据不全部符合性能基准参数的性能对比结果,判断为不达标,并记录不达标镀层样品的参数的偏差情况形成偏差报告; 根据偏差报告对镀层样品进行修正,直至镀层样品达标; 如果晶面间距大于0.34nm,进行二次低温退火处理; 如果晶格参数偏离标准值,对镀层样品进行离子束刻蚀或化学蚀刻,去除表层部分材料,然后重新进行ALD沉积; 如果表面均匀性大于5%,使用平坦化工艺通过物理和化学手段同时作用,消除表面高度差异; 如果粗糙度大于0.8nm,采用原子层沉积后处理技术降低表面粗糙度; 如果平整度大于0.5nm,对镀层样品应用化学机械抛光; 如果折射率低于1.6,通过等离子体增强处理,在镀层中引入高折射率元素; 如果消光系数高于0.005,进行退火处理去除表面杂质。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人臬正半导体科技(南京)有限公司,其通讯地址为:211100 江苏省南京市江宁区江宁开发区秣陵街道吉印大道3118号30号楼(江宁开发区);或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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