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龙图腾网获悉厦门大学申请的专利一种基于多光子非线性荧光效应的高分辨半导体表面及内部探伤方法与装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120102535B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510298102.4，技术领域涉及：G01N21/64；该发明授权一种基于多光子非线性荧光效应的高分辨半导体表面及内部探伤方法与装置是由梁亮亮;刘畅;李志恒;黄维设计研发完成，并于2025-03-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于多光子非线性荧光效应的高分辨半导体表面及内部探伤方法与装置在说明书摘要公布了：一种基于多光子非线性荧光效应的高分辨半导体表面及内部探伤方法与装置，涉及非线性光学和光学成像半导体检测。短波红外光穿透待测半导体，表面或内部缺陷引发散射，改变透反射率及功率，激发含高阶非线性荧光纳米颗粒薄膜，使发光亮度产生数量级变化，提升缺陷检测对比度与成像分辨率。通过FPGA和LabVIEW实现全自动控制，自动采集、拼接子图像，分析灰度异常区域以判断缺陷类型与分布。光学成像装置含激发光生成、样品扫描、非线性荧光薄膜成像及智能控制分析模块，实现短波红外光激发、可见光‑近红外探测，具备智能化、高分辨、低成本、大面积全自动探伤优势。适于大规模半导体高效探伤，摆脱对红外成像相机依赖，降低系统成本。

本发明授权一种基于多光子非线性荧光效应的高分辨半导体表面及内部探伤方法与装置在权利要求书中公布了：1.一种基于多光子非线性荧光效应的高分辨半导体表面及内部探伤装置，其特征在于包括激发光生成模块、样品扫描模块、非线性荧光薄膜成像模块及智能控制分析模块；内部探伤装置分为透射式探伤模式和反射式探伤模式；在短波红外光激发下，基于智能控制模块的统筹协调，驱动其余各个模块完成可见光-近红外探测、智能化、高分辨、大面积的全自动半导体探伤技术； 所述激发光生成模块均包括连续型短波红外激光器、脉冲型短波红外激光器及短波红外LED光源，以及沿该激发光源发射光束方向依次放置的滤光片组、反射镜；激发光源产生稳态短波红外光束输出；滤光片组用于纯化光束；反射镜用于调整光线角度，最大化检测装置的空间利用率； 透射式探伤模式时，所述样品扫描模块包括三维电动位移台以及半导体样品；三维电动位移台用于半导体样品的空间定位，依据设定的分辨率在XYZ方向移动，逐步扫描整个样品区域；半导体样品被固定在三维电动位移台上，可由短波红外光穿透，透射光用于后续激发非线性荧光薄膜样品成像； 反射式探伤模式时，所述样品扫描模块包括光束分束器、三维电动位移台以及半导体样品；光束分束器用于提取成像反射光，用于后续激发非线性荧光薄膜样品成像；三维电动位移台用于半导体样品的空间定位，依据设定的分辨率在XYZ方向移动，逐步扫描整个样品区域；半导体样品被固定在三维电动位移台上，可反射短波红外光； 所述非线性荧光薄膜成像模块包括光束矫正透镜组、非线性荧光薄膜、滤光片组、成像镜头及相机；光束矫正透镜组用于匹配成像镜头参数设计，矫正光学像差，提高光束利用率；非线性荧光薄膜均匀混合具有非线性荧光效应的发光材料，用于产生数量级改变的发射荧光提高成像对比度与分辨率；透射式探伤模式时，非线性荧光薄膜设于样品上方，用于接收透射光激发；反射式探伤模式时，非线性荧光薄膜设于分束器后方，用于接收反射光激发；滤光片组用于筛选成像波段，匹配不同应用场景；成像镜头用于调整成像光圈和视场，确保影像完整覆盖在传感器上，避免图像边缘失真或剪切；相机用于记录成像图片； 所述智能控制分析模块包括计算机端与FPGA芯片；计算机端内置LabVIEW软件，完成参数设置、实时数据传输、可视化显示及图像拼接与缺陷分析，统筹驱动系统各个模块；FPGA芯片连接激发光源及成像相机用于改变激发及成像模式，通过USB或Ethernet接口额外与计算机端通信，发出脉冲触发相机，协同三维电动位移台实现循环扫描，获取大面积、高分辨拼接图像。

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