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龙图腾网获悉通威微电子有限公司申请的专利一种碳化硅晶体长晶炉获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120210943B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510373595.3，技术领域涉及：C30B23/00；该发明授权一种碳化硅晶体长晶炉是由韩江山设计研发完成，并于2025-03-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种碳化硅晶体长晶炉在说明书摘要公布了：本发明实施例提供了一种碳化硅晶体长晶炉，涉及碳化硅晶体生长技术领域。碳化硅晶体长晶炉包括上坩埚、下坩埚及过滤组件。上坩埚设置有籽晶内设置有籽晶及导流罩，导流罩将上坩埚分为分流腔与生长腔。下坩埚具有用于放置原料的原料腔，下坩埚与上坩埚连接，过滤组件包括第一过滤件及第二过滤件，第一过滤件的孔隙率小于第二过滤件的孔隙率，第一过滤件与生长腔相对，第二过滤件与分流腔相对。分流腔内气流上升速度相较于生长腔内气流上升速度快，因此生长腔内的压力高于分流腔内的压力，能够使得生长腔内的碳颗粒向导流罩的内壁引流，以使碳颗粒吸附于导流罩内壁，从而降低碳化硅晶体生长时出现碳包裹现象。

本发明授权一种碳化硅晶体长晶炉在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅晶体长晶炉，其特征在于，包括： 上坩埚100，所述上坩埚100内设置有籽晶110及导流罩120，所述导流罩120的外壁与所述上坩埚100内壁共同限定出分流腔140，所述导流罩120的内壁与所述籽晶110共同限定出生长腔130； 下坩埚200，所述下坩埚200与上坩埚100连接，所述下坩埚200具有用于放置原料的原料腔210； 过滤组件，所述过滤组件包括均安装于所述原料腔210内的第一过滤件310及第二过滤件320，所述第一过滤件310的孔隙率小于所述第二过滤件320的孔隙率，所述第一过滤件310与所述生长腔130相对，所述第二过滤件320呈圆环状且套设于所述第一过滤件310的外周壁，所述第二过滤件320与分流腔140相对，所述第二过滤件320的上端面与所述导流罩120的下端面抵接； 其中，所述原料腔210内的生长气氛能经过第一过滤件310进入所述生长腔130，所述原料腔210内的生长气氛能经过所述第二过滤件320进入所述分流腔140，所述导流罩120由多孔石墨制成，所述分流腔140的径向尺寸小于所述生长腔130的径向尺寸。

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