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龙图腾网获悉长飞先进半导体(武汉)有限公司申请的专利半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120264839B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510742012.X，技术领域涉及：H10D64/27；该发明授权半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆是由刘帅;王东东;高远;李倩;赵勇;高磊;黄英娜设计研发完成，并于2025-06-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆，其中，半导体器件包括，半导体本体，其设置有第一沟槽；还包括第一区域、第二区域、第一阱区和第二阱区；栅极位于第一沟槽内，绝缘层，包覆于栅极的表面；源极，位于第一表面，且至少部分源极覆盖第一沟槽，以及覆盖底壁的第二区域；漏极，位于第二表面，实现了增加导电沟道的数量，提升器件整体的沟道密度，进而降低半导体器件的比导通电阻，以及提升半导体器件的品质因数，改善半导体器件的动态特性。

本发明授权半导体器件及制备方法、功率模块、功率转换电路和车辆在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括： 半导体本体，所述半导体本体包括相对设置的第一表面和第二表面，所述第一表面设置有第一沟槽，所述第一沟槽从所述第一表面延伸至所述半导体本体中；所述半导体本体还包括第一区域、第二区域、第一阱区和第二阱区；所述第一区域设置为第一导电类型，且设置于所述第一沟槽一侧的所述第一表面；所述第一阱区设置为第二导电类型，且设置于所述第一区域远离所述第一表面的一侧；所述第二区域设置为第一导电类型，且设置于所述第一沟槽的底壁；所述第二阱区设置为第二导电类型，且设置于所述第二区域远离所述底壁的一侧，在所述第二阱区靠近所述第一阱区的一侧，至少部分所述第二阱区延伸至所述底壁；所述第一导电类型与所述第二导电类型不同； 其中，所述第一沟槽为阶梯沟槽，所述第一沟槽靠近所述第一阱区一侧的侧壁包括沿第一方向延伸的第一侧壁和第二侧壁，以及沿第二方向延伸的第三侧壁；所述第二方向与所述第一表面平行，所述第一方向与所述第二方向相交； 所述第一侧壁与所述第一阱区相邻； 所述第二侧壁位于所述第一侧壁远离所述第一表面的一侧，所述第一侧壁与所述第一阱区在所述第二方向上的距离小于所述第二侧壁与所述第一阱区在所述第二方向上的距离； 所述第三侧壁位于所述第一侧壁与所述第二侧壁之间；所述第一侧壁与所述第三侧壁连接构成第一拐角；所述第二侧壁与所述第三侧壁连接构成第二拐角；所述第二侧壁与所述底壁连接构成第三拐角； 栅极，位于所述第一沟槽内，所述栅极在所述底壁上的垂直投影至少覆盖所述第二阱区在所述底壁上的垂直投影；所述栅极在所述第一沟槽侧壁上的垂直投影至少覆盖所述第一阱区在所述侧壁的垂直投影；不同的所述第一沟槽内的栅极为分离栅极； 绝缘层，包覆于所述栅极的表面； 源极，位于所述第一表面，且至少部分所述源极覆盖所述第一沟槽，以及至少部分所述源极覆盖所述底壁的所述第二区域； 漏极，位于所述第二表面。

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