深圳市云在上半导体材料有限公司;湖南湘芯新材料有限公司张桂华获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳市云在上半导体材料有限公司;湖南湘芯新材料有限公司申请的专利聚焦环、等离子刻蚀设备及聚焦环使用方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120280327B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510767380.X，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权聚焦环、等离子刻蚀设备及聚焦环使用方法是由张桂华;刘畅;胡炳煌;伊小念;刘锦豪设计研发完成，并于2025-06-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本聚焦环、等离子刻蚀设备及聚焦环使用方法在说明书摘要公布了：一种聚焦环、等离子刻蚀设备及聚焦环使用方法，属于半导体制造技术领域。聚焦环包括上部环和两个或两个以上的下部环；所述上部环和所述下部环为分离设置，且所述下部环设置于所述上部环的下方并能够支撑所述上部环；多个所述下部环的高度不相同，以在更换下部环后能够调节所述上部环的高度。本发明聚焦环将原有的下部环更换为具有更高的高度的下部环后，可以将上部环的高度升高，这样可以抵消上部环的上表面变薄造成的影响，使得上部环的上表面与未刻蚀之前的原有上表面可以保持基本持平，从而使聚焦环能够保证刻蚀过程中的晶圆边缘刻蚀均匀度，增加了聚焦环的使用寿命。
本发明授权聚焦环、等离子刻蚀设备及聚焦环使用方法在权利要求书中公布了：1.一种聚焦环，用于等离子刻蚀设备，其特征在于，所述聚焦环包括上部环和两个或两个以上的下部环，上部环和下部环均为圆环状的结构；所述上部环和所述下部环为分离设置，且所述下部环设置于所述上部环的下方并能够支撑所述上部环；多个所述下部环的高度不相同，多个所述下部环的高度组成等差数列，上部环与高度最低的下部环配对使用，且在等离子刻蚀设备例行维护时，将下部环按照从低到高的顺序，每次更换一个下部环，更换下部环后能够调节所述上部环的高度。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市云在上半导体材料有限公司;湖南湘芯新材料有限公司，其通讯地址为：518106 广东省深圳市光明区马田街道新庄社区大围平塘A5栋202；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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