浙江大学李云龙获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种光电转换阵列器件的制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120302850B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510787819.5，技术领域涉及：H10K71/00；该发明授权一种光电转换阵列器件的制作方法是由李云龙设计研发完成，并于2025-06-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种光电转换阵列器件的制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种光电转换阵列器件的制作方法。在基板上制备光电转换阵列，并在每个像素位置形成开口向上的沟槽；通过旋涂或层压工艺将光电转换薄膜材料沉积于所有沟槽内，使所述光电转换薄膜材料的主体部分嵌入所述开口沟槽内，并在沟槽外表面形成残余薄膜层；采用回刻工艺去除沟槽外表面的残余薄膜层，完成光电转换薄膜层的像素化；在完成像素化的光电转换薄膜层上制备第二载流子传输层、顶电极。本发明通过沟槽化像素结构设计与层压旋涂工艺结合，创新性地实现了薄膜材料的低损伤、高精度像素化。像素化后的薄膜材料具有串扰小的技术优势，尤其是在小像素器件领域。
本发明授权一种光电转换阵列器件的制作方法在权利要求书中公布了：1.一种光电转换阵列器件的制作方法，所述光电转换阵列器件为感光成像阵列器件或发光阵列器件，其特征在于，所述光电转换阵列器件从下到上依次包括光电转换阵列、第二载流子传输层、顶电极；所述光电转换阵列从下到上依次包括介质层、金属底电极、第一载流子传输层、光电感应薄膜、像素间隔离介质，所述介质层内设有多个金属通孔，各金属通孔的下端连接驱动电路；光电转换阵列器件的每个像素位置至少对应一个金属通孔； 第一载流子传输层、第二载流子传输层为不同载流子传输层，为电子传输层或空穴传输层； 所述方法包括以下工艺步骤： 在基板上制备光电转换阵列，并采用光刻和刻蚀的方法在每个像素位置形成开口向上的沟槽； 通过旋涂或层压工艺将光电转换薄膜材料沉积于所有沟槽内，使所述光电转换薄膜材料的主体部分嵌入所述开口沟槽内，并在沟槽外表面形成残余薄膜层； 采用回刻工艺去除沟槽外表面的残余薄膜层，完成光电转换薄膜层的像素化； 在完成像素化的光电转换薄膜层上制备第二载流子传输层、顶电极。
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