珠海元记忆电子科技有限公司何东歌获国家专利权
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龙图腾网获悉珠海元记忆电子科技有限公司申请的专利金刚石陶瓷半导体封装管壳的制作方法及封装算力芯片的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120341119B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510823237.8，技术领域涉及：H01L21/48；该发明授权金刚石陶瓷半导体封装管壳的制作方法及封装算力芯片的方法是由何东歌;刘宣廷设计研发完成，并于2025-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本金刚石陶瓷半导体封装管壳的制作方法及封装算力芯片的方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种金刚石陶瓷半导体封装管壳的制作方法及封装算力芯片的方法，包括步骤：将人造金刚石粉、硅粉和二氧化硅粉混合烧熔浇注在模具中形成相应尺寸的金刚石陶瓷管壳；在管壳衬底上打通孔；在管壳衬底的通孔内沉积铜及沉积位于衬底底部外侧的焊盘；在管壳衬底内侧交替沉积金属膜层和绝缘膜层形成多层布线基体；在该基体顶层的金属膜层上沉积类金刚石膜形成基体的顶层绝缘层，并在该顶层绝缘层上形成用于焊接芯片的焊盘。本发明能有效实现算力芯片引脚互联信号高保真的引出来，并大大提高封装芯片的可靠性和散热性，降低封装成本。
本发明授权金刚石陶瓷半导体封装管壳的制作方法及封装算力芯片的方法在权利要求书中公布了：1.一种金刚石陶瓷半导体封装管壳的制作方法，包括其如下步骤： A.将包括人造金刚石粉、硅粉和二氧化硅粉的混合材料烧熔浇注在模具中形成所需尺寸的金刚石陶瓷管壳； B.在所述管壳衬底上打通孔； C.在所述管壳衬底的通孔内沉积铜及在衬底外侧沉积焊盘； D.在所述管壳衬底内侧沉积导电膜层和绝缘膜层形成多层布线基体，所述导电膜层和绝缘膜层交替层叠，通过光刻和蚀刻实现多层导电膜层的布线互联； E.在多层布线基体顶层的导电膜层上沉积类金刚石膜作为顶层绝缘层，并在该顶层绝缘层上沉积导电层膜用做焊接芯片的焊盘。
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