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龙图腾网获悉山东大学申请的专利一种基于悬空栅工艺的氮化镓器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120358772B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510840180.2，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种基于悬空栅工艺的氮化镓器件及其制造方法是由崔鹏;张铁瀛;韩吉胜;汉多科·林纳威赫;徐现刚设计研发完成，并于2025-06-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种基于悬空栅工艺的氮化镓器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于悬空栅工艺的氮化镓器件及其制造方法，属于半导体器件技术领域。器件，由下到上依次为衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层两侧分别设置有源极金属和漏极金属，源极金属和漏极金属底部延伸至GaN缓冲层，AlGaN势垒层上侧设置有p‑GaN帽层，p‑GaN帽层上侧和靠近漏极金属的一侧设置有栅极金属。本发明可有效提高栅极调控能力，降低漏电，提升击穿电压，并抑制电流崩塌和热载流子效应，为高性能GaN功率和射频器件的制备提供了新的解决方案。

本发明授权一种基于悬空栅工艺的氮化镓器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种基于悬空栅工艺的氮化镓器件的制造方法，其特征在于，氮化镓器件由下到上依次为衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插层和AlGaN势垒层，AlGaN势垒层两侧分别设置有源极金属和漏极金属，源极金属和漏极金属底部延伸至GaN缓冲层，AlGaN势垒层上侧设置有p-GaN帽层，p-GaN帽层上侧和靠近漏极金属的一侧设置有栅极金属； p-GaN帽层上侧的栅极金属长度与p-GaN帽层两端之间的距离相同，p-GaN帽层靠近漏极金属一侧的栅极金属垂直设置于p-GaN帽层上侧栅极金属的一端，p-GaN帽层靠近漏极金属一侧的栅极金属称为悬空栅； p-GaN帽层上侧的栅极金属靠近源极金属的侧面与p-GaN帽层靠近源极金属的侧壁留有间隙； 上述基于悬空栅工艺的氮化镓器件的制造方法，步骤如下： S1、在衬底上生长GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插层、AlGaN势垒层、p-GaN帽层； S2、干法刻蚀掉多余的p-GaN帽层； S3、通过干法刻蚀去除器件外的GaN沟道层、AlN插层、AlGaN势垒层，形成台面； S4、在台面上蒸镀源极金属、漏极金属； S5、在漏极金属、源极金属区域退火，形成欧姆接触； S6、在AlGaN势垒层和p-GaN帽层的上方沉积介质层； S7、p-GaN帽层上方介质层通过干法刻蚀开孔； S8、在p-GaN帽层靠近漏极金属的一侧以及p-GaN帽层上方蒸镀栅极金属； S9、通过干法刻蚀或湿法刻蚀去除AlGaN势垒层上的介质层，实现悬空栅的悬空。

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