山东大学崔鹏获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉山东大学申请的专利一种基于双栅及介质层调控的增强型氮化镓器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120379303B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510864711.1，技术领域涉及：H10D30/47；该发明授权一种基于双栅及介质层调控的增强型氮化镓器件及其制造方法是由崔鹏;张铁瀛;韩吉胜;汉多科·林纳威赫;徐现刚设计研发完成，并于2025-06-26向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于双栅及介质层调控的增强型氮化镓器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种基于双栅及介质层调控的增强型氮化镓器件及其制造方法，属于半导体器件技术领域。器件由下到上依次包括衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插层、AlGaN势垒层和P‑GaN帽层，P‑GaN帽层上侧和P‑GaN帽层两侧的AlGaN势垒层上设置有介质层，介质层两侧分别设置有源极金属和漏极金属，源极金属和漏极金属底部延伸至GaN缓冲层，靠近源极金属一侧的介质层上方和P‑GaN帽层上方的介质层上均设置有栅极金属。本发明有效提高了击穿电压和栅极耐压水平，并显著降低了栅极漏电流，实现整体器件性能的优化和可靠性提升。
本发明授权一种基于双栅及介质层调控的增强型氮化镓器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种基于双栅及介质层调控的增强型氮化镓器件，其特征在于，由下到上依次包括衬底、GaN缓冲层、GaN沟道层、AlN插层、AlGaN势垒层和P-GaN帽层，P-GaN帽层上侧和P-GaN帽层两侧的AlGaN势垒层上设置有介质层，介质层两侧分别设置有源极金属和漏极金属，源极金属和漏极金属底部延伸至GaN缓冲层，靠近源极金属一侧的介质层上方和P-GaN帽层上方的介质层上均设置有栅极金属； 栅极金属宽度小于P-GaN帽层的宽度，P-GaN帽层上侧介质层上的栅极金属靠近漏极金属，P-GaN帽层上侧介质层与栅极金属宽度相同； P-GaN帽层上侧的栅极金属和介质层与P-GaN帽层一侧对齐，另一个栅极金属贴合P-GaN帽层侧壁。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人山东大学，其通讯地址为：250100 山东省济南市历城区山大南路27号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励