珠海格力电子元器件有限公司陈勇获国家专利权
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龙图腾网获悉珠海格力电子元器件有限公司申请的专利碳化硅半导体器件及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120379313B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510859708.0，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权碳化硅半导体器件及其制备方法是由陈勇;肖帅;马万里设计研发完成，并于2025-06-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本碳化硅半导体器件及其制备方法在说明书摘要公布了：本申请提供了一种碳化硅半导体器件及其制备方法，器件包括：衬底；外延层；多个源区结构，间隔的位于外延层背离衬底的一侧；栅极结构，位于源区结构之间，栅极结构包括沿衬底的厚度方向依次层叠的第一半导体层、第二半导体层和栅极，第一半导体层和第二半导体层之间的界面处形成有二维电子气层，栅极位于第二半导体层背离衬底的一侧。解决了现有技术中碳化硅器件沟道迁移率低的问题。
本发明授权碳化硅半导体器件及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅半导体器件，其特征在于，包括： 衬底； 外延层，所述外延层的材料为碳化硅； 多个源区结构，间隔的位于所述外延层背离所述衬底的一侧，形成所述源区结构的步骤包括：在所述外延层中进行第一注入形成预备第一掺杂区；在所述预备第一掺杂区中进行第二注入形成预备第二掺杂区，所述预备第二掺杂区的注入深度小于预备第一掺杂区的注入深度；对所述预备第一掺杂区和所述预备第二掺杂区进行刻蚀处理，在所述预备第一掺杂区和所述预备第二掺杂区中形成凹槽，剩余的所述预备第一掺杂区形成第一掺杂区，剩余的所述预备第二掺杂区形成第二掺杂区，所述第一掺杂区和所述第二掺杂区形成所述源区结构； 栅极结构，位于所述凹槽中，所述栅极结构包括沿所述衬底的厚度方向依次层叠的第一半导体层、第二半导体层和栅极，所述第一半导体层和所述第二半导体层之间的界面处形成有二维电子气层，所述栅极位于所述第二半导体层背离所述衬底的一侧。
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