长鑫新桥存储技术有限公司王公元获国家专利权
买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！
龙图腾网获悉长鑫新桥存储技术有限公司申请的专利套刻误差的量测方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120406058B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510854891.5，技术领域涉及：G03F7/20；该发明授权套刻误差的量测方法是由王公元;阚俊;贾斐;石德胜设计研发完成，并于2025-06-24向国家知识产权局提交的专利申请。
本套刻误差的量测方法在说明书摘要公布了：本公开涉及半导体技术领域，提供一种套刻误差的量测方法，用于解决如何高效且精确地量测当前层和前一层之间的套刻误差的技术问题。该量测方法包括：获取半导体结构中的第一导电图案和第二导电图案的第一扫描图像；根据第一扫描图像，确定第二导电图案和第一导电图案之间的第一套刻误差；获取半导体结构中的第三导电图案和第一导电图案的第二扫描图像；根据第二扫描图像，确定第三导电图案和第一导电图案之间的第二套刻误差；根据第二套刻误差和第一套刻误差，确定第三导电图案和第二导电图案之间的第三套刻误差。如此，可以精确且高效地获得当前层图案和前一层图案间的套刻误差，减少由于套刻误差而引起的产品缺陷，有利于提高产品的质量和良率。
本发明授权套刻误差的量测方法在权利要求书中公布了：1.一种套刻误差的量测方法，其特征在于，包括： 获取半导体结构中的第一导电图案和第二导电图案的第一扫描图像，其中，所述第二导电图案位于所述第一导电图案之上； 根据所述第一扫描图像中所述第二导电图案和所述第一导电图案的成像，确定所述第二导电图案和所述第一导电图案之间的第一套刻误差； 获取所述半导体结构中的第三导电图案和所述第一导电图案的第二扫描图像，其中，所述第三导电图案位于所述第二导电图案之上； 根据所述第二扫描图像中所述第三导电图案和所述第一导电图案的成像，确定所述第三导电图案和所述第一导电图案之间的第二套刻误差； 根据所述第二套刻误差和所述第一套刻误差，确定所述第三导电图案和所述第二导电图案之间的第三套刻误差。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人长鑫新桥存储技术有限公司，其通讯地址为：230601 安徽省合肥市经济技术开发区新淮大道2788号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
以上内容由龙图腾AI智能生成。
免责声明
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
1、本报告根据公开、合法渠道获得相关数据和信息，力求客观、公正，但并不保证数据的最终完整性和准确性。
2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
开放平台
担保交易
惠及多方
会员特惠
专属平台
适合多方
数据共享
功能齐全
皖公网安备 34010402703815号
请提出您的宝贵建议，有机会获取IP积分或其他奖励