深圳平湖实验室苏芳获国家专利权
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龙图腾网获悉深圳平湖实验室申请的专利芯片和电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120413573B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510825964.8，技术领域涉及：H01L23/522；该发明授权芯片和电子设备是由苏芳;陈刚;曾威设计研发完成，并于2025-06-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片和电子设备在说明书摘要公布了：本公开提供了一种芯片和电子设备，涉及半导体芯片技术领域，旨在解决芯片的膜层间的翘曲问题，芯片包括：元胞区和围绕元胞区的终端区；芯片还包括：基底、位于基底一侧的多层绝缘层以及位于终端区的第一类嵌套结构；其中，第一类嵌套结构包括：第一嵌套结构，第一嵌套结构包括：设于基底上且朝向绝缘层一侧的第一沟槽，及设于与基底相邻设置的绝缘层上且朝向基底一侧的第一凸起，第一凸起填充第一沟槽。
本发明授权芯片和电子设备在权利要求书中公布了：1.一种芯片，其特征在于，包括：元胞区和围绕所述元胞区的终端区； 所述芯片还包括：基底、位于所述基底一侧的多层绝缘层以及位于所述终端区的第一类嵌套结构； 其中，所述第一类嵌套结构包括：第一嵌套结构，所述第一嵌套结构包括：设于所述基底上且朝向所述绝缘层一侧的第一沟槽，及设于与所述基底相邻设置的所述绝缘层上且朝向所述基底一侧的第一凸起，所述第一凸起填充所述第一沟槽；所述第一类嵌套结构包括：第二嵌套结构；所述第二嵌套结构包括：设于第一绝缘层上且朝向远离所述基底方向的第二沟槽，及设于第二绝缘层上且朝向所述基底方向的第二凸起，所述第二凸起填充所述第二沟槽；所述第一绝缘层与所述第二绝缘层相邻设置，且所述第二绝缘层位于所述第一绝缘层远离所述基底的一侧；在向所述基底的正投影中，所述第一嵌套结构与所述第二嵌套结构相交叠。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳平湖实验室，其通讯地址为：518116 广东省深圳市龙岗区平湖街道中科亿方智汇产业园12栋；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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