杭州谱析光晶半导体科技有限公司许一力获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州谱析光晶半导体科技有限公司申请的专利一种碳化硅器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120417444B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510906162.X，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种碳化硅器件及其制作方法是由许一力;李鑫;刘倩倩设计研发完成，并于2025-07-02向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种碳化硅器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种碳化硅器件及其制作方法，属于半导体领域。包括由若干个相互并列的MOS元胞构成，单个MOS元胞包括漏极、半导体外延层、源极和栅极；所述半导体外延层包括N衬底层、N漂移层、P+层、N阱层和P阱层，单个所述MOS元胞的N漂移层中间处设有轻掺杂N层；本发明通过在弧形重掺杂N层中间增设弧形轻掺杂N层，利用其低于重掺杂层的掺杂浓度平滑反向偏压下的电场分布，降低界面电场突变风险，减少动态损耗，同时通过弧形内侧轻掺杂N层稀释中心区域掺杂浓度，促使耗尽区扩展，优化漏栅间电场分布，降低寄生电容以提升高频性能。
本发明授权一种碳化硅器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种碳化硅器件，包括由若干个相互并列的MOS元胞构成，单个MOS元胞包括漏极1、半导体外延层、源极4和栅极5；所述半导体外延层包括N衬底层2、N漂移层3、P+层8、N阱层9和P阱层10，其特征在于：单个所述MOS元胞的N漂移层3中间处设有轻掺杂N层6； 单个所述MOS元胞的内部且位于N漂移层3的左右两侧设有侧对称P-层7，所述侧对称P-层7为矩形轮廓，所述侧对称P-层7的底端与N衬底层2接触，所述轻掺杂N层6的中间区域通过离子注入形成有弧形重掺杂N层16，所述弧形重掺杂N层16的底端与所述N衬底层2接触，所述弧形重掺杂N层16的中间区域通过离子注入形成有半圆P-层12，所述半圆P-层12的底端与N衬底层2接触，所述半圆P-层12的外侧壁对称通过离子注入形成有弧形侧轻掺杂N层17。
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