中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))柳月波获国家专利权
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龙图腾网获悉中国电子产品可靠性与环境试验研究所((工业和信息化部电子第五研究所)(中国赛宝实验室))申请的专利一种基于方差分析的成像光电探测器焦平面热点识别方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120427113B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510506809.X,技术领域涉及:G01J5/00;该发明授权一种基于方差分析的成像光电探测器焦平面热点识别方法是由柳月波;颜佳辉;马腾;王宏跃;牛皓;杨少华;陆健婷;赖灿雄设计研发完成,并于2025-04-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于方差分析的成像光电探测器焦平面热点识别方法在说明书摘要公布了:本发明公开了一种基于方差分析的成像光电探测器焦平面热点识别方法,包括:利用红外热像仪对成像光电探测器的焦平面进行热成像,获得焦平面的热数据矩阵;将热数据矩阵作为总体区域进行四等分,形成四个象限的热数据矩阵;计算F检验的F值,将计算得到的F值与给定的显著性水平下的F分布临界值进行比较;如果判断F≤F分布临界值,则针对四个象限中的每个象限的热数据矩阵,重复执行四叉树分割和F检验,直到判断FF分布临界值;计算LSD值,确定出与其他象限存在显著差异的象限作为总体区域,重复执行四叉树分割和F检验,直到F≤F分布临界值,获得给定显著性水平下的所有最小热点区域。本发明能够准确识别出成像光电探测器焦平面上的热点。
本发明授权一种基于方差分析的成像光电探测器焦平面热点识别方法在权利要求书中公布了:1.一种基于方差分析的成像光电探测器焦平面热点识别方法,其特征在于,包括: 步骤S1,利用红外热像仪对成像光电探测器的焦平面进行热成像,获得焦平面的热数据矩阵; 步骤S2,将热数据矩阵作为总体区域进行四等分,形成四个象限的热数据矩阵; 步骤S3,计算F检验的F值,将计算得到的F值与给定的显著性水平α、组间自由度dfbetween和组内自由度dfwithin下的F分布临界值Fα,dfbetween,dfwithin进行比较; 步骤S4,如果判断F≤Fα,dfbetween,dfwithin,则针对四个象限中的每个象限的热数据矩阵,重复执行步骤S2和步骤S3,直到判断F>Fα,dfbetween,dfwithin; 步骤S5,计算LSD值,通过将任意两个象限的元素均值之差的绝对值与LSD值进行比较,确定出与其他象限存在显著差异的象限; 步骤S6,将存在显著差异的象限的热数据矩阵作为总体区域,重复执行步骤S2和步骤S3,如果判断F≤Fα,dfbetween,dfwithin,则将此时的总体区域作为最小热点区域; 步骤S7,如果判断F>Fα,dfbetween,dfwithin,则重复执行步骤S5和步骤S6,直到判断F≤Fα,dfbetween,dfwithin,获得显著性水平α下的所有最小热点区域。
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