长鑫芯瑞存储技术(北京)有限公司谢涛获国家专利权
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龙图腾网获悉长鑫芯瑞存储技术(北京)有限公司申请的专利存储器及电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120431975B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510919013.7，技术领域涉及：G11C7/06；该发明授权存储器及电子设备是由谢涛;赵建飞设计研发完成，并于2025-07-03向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器及电子设备在说明书摘要公布了：一种存储器及电子设备。该存储器包括：差分放大电路，具有第一端和第二端；与所述差分放大电路对应的N个公共位线组，其中，N为大于或等于2的整数，所述N个公共位线组中的每个公共位线组包括两条公共位线，所述两条公共位线通过第一选择开关与所述差分放大电路的所述第一端和所述第二端分别耦接；与每条所述公共位线对应耦接的多条位线，其中，每条所述位线通过第二选择开关与对应的所述公共位线耦接；与每条所述位线对应耦接的多个存储单元。该存储器通过多个公共位线组共用一个差分放大电路，有助于减少差分放大电路的数量或者减小公共位线的长度，进而有助于提高感测裕度。
本发明授权存储器及电子设备在权利要求书中公布了：1.一种存储器，其特征在于，包括： 差分放大电路，具有第一端和第二端； 与所述差分放大电路对应的N个公共位线组，其中，N为大于或等于2的整数，所述N个公共位线组中的每个公共位线组包括两条公共位线，所述两条公共位线通过第一选择开关与所述差分放大电路的所述第一端和所述第二端分别耦接； 与每条所述公共位线对应耦接的多条位线，其中，每条所述位线通过第二选择开关与对应的所述公共位线耦接； 与每条所述位线对应耦接的多个存储单元； 其中，每条所述公共位线沿第一水平方向延伸，所述每个公共位线组中的所述两条公共位线在第二水平方向上间隔排布，所述N个公共位线组中的与所述差分放大电路的所述第一端耦接的N条所述公共位线在所述第一水平方向上间隔排布，所述N个公共位线组中的与所述差分放大电路的所述第二端耦接的N条所述公共位线在所述第一水平方向上间隔排布。
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