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龙图腾网获悉浙江翠展微电子有限公司申请的专利一种埋入式且多芯片并联的功率模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120511243B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511001775.5，技术领域涉及：H01L23/367；该发明授权一种埋入式且多芯片并联的功率模块是由吴瑞;唐卓凡;欧东赢;张旭设计研发完成，并于2025-07-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种埋入式且多芯片并联的功率模块在说明书摘要公布了：一种埋入式且多芯片并联的功率模块，其包括第一AMB板，芯片组件，第二AMB板，以及电路板。所述第一AMB板包括第一绝缘层，第一下铜层，以及第一上铜层。所述第一上铜层设置有多个埋入槽，所述芯片组件包括芯片，以及铜排。所述第二AMB板包括第二绝缘层，第二下铜层，以及第二上铜层。所述第二下铜层与所述第一上铜层焊接连接，所述第二绝缘层和所述第二下铜层设置有避让孔，所述芯片组件位于所述避让孔和所述埋入槽内，形成双面散热的双路径，提高散热效率。所述铜排的下表面连接在所述芯片上，而上表面与所述第二上铜层连接，叠层结构还缩短电流输入与输出的垂直路径，减小了电流回路面积，有效降低杂散电感。

本发明授权一种埋入式且多芯片并联的功率模块在权利要求书中公布了：1.一种埋入式且多芯片并联的功率模块，其特征在于：所述埋入式且多芯片并联的功率模块包括一个第一AMB板，多个设置在所述第一AMB板上的芯片组件，一个设置在所述第一AMB板上的第二AMB板，以及一个设置在所述第二AMB板上的电路板，所述第一AMB板包括一个第一绝缘层，一个设置在所述第一绝缘层上的第一下铜层，以及一个设置在所述第一绝缘层上的第一上铜层，所述第一绝缘层位于所述第一下铜层和所述第一上铜层之间，所述第一上铜层设置有多个埋入槽，所述芯片组件包括多个设置在所述第一AMB板上的芯片，以及多个设置在所述芯片上的铜排，所述第二AMB板包括一个第二绝缘层，一个设置在所述第二绝缘层上的第二下铜层，以及一个设置在所述第二绝缘层上的第二上铜层，所述第二绝缘层位于所述第二下铜层和所述第二上铜层之间，所述第二下铜层设置在所述第二绝缘层朝向所述第一AMB板的端面上，而所述第二上铜层设置在所述第二绝缘层背向所述第一AMB板的端面上，所述第二下铜层与所述第一上铜层焊接连接，所述第二绝缘层和所述第二下铜层对应所述芯片组件的位置设置有避让孔，所述芯片组件位于所述避让孔和所述埋入槽内，所述铜排的下表面与所述芯片电连接，所述铜排的上表面与所述第二AMB板的第二上铜层电连接，所述电路板的下表面与所述第二上铜层的上表面电性焊接并对应设置有多个电极，通过所述第二上铜层连接所述电极和所述铜排，使得一个芯片的其中两个所述铜排引出与所述电路板上的控制电路连接。

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