合肥晶合集成电路股份有限公司陈维邦获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利自隔离型图像传感结构、传感器及制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120547952B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511028398.4，技术领域涉及：H10F39/00；该发明授权自隔离型图像传感结构、传感器及制备方法是由陈维邦设计研发完成，并于2025-07-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本自隔离型图像传感结构、传感器及制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种自隔离型图像传感结构、传感器及制备方法，属于半导体领域，本发明在对衬底背面减薄后暴露出浅沟槽隔离结构，然后在衬底背面外延第一半导体层并在其内制备第一隔离结构；之后在第一半导体层上依次沉积第二半导体材料层和金属格栅材料层；依次刻蚀金属格栅材料层和第二半导体材料层形成若干间隔分布的金属格栅结构和相应的自隔离结构；之后在相邻自隔离结构之间的光敏区凹槽内外延多层光敏层，形成光敏区；之后进行活化、制备滤光层等工艺得到完整的背照式图像传感器；本发明改变光电二极管的结构分布得到自隔离型光电二极管，意想不到的是在解决掺杂损伤衬底同时大幅度减少了串扰效应，提高了图像传感器的性能。
本发明授权自隔离型图像传感结构、传感器及制备方法在权利要求书中公布了：1.一种自隔离型图像传感结构的制备方法，其特征在于，包括以下步骤： 提供衬底，衬底具有正面和背面，所述衬底的正面具有若干浅沟槽隔离结构； 对衬底背面减薄处理暴露出浅沟槽隔离结构； 在减薄后的衬底背面外延第一半导体层； 在第一半导体层内与浅沟槽隔离结构对应位置制备第一隔离结构； 在第一半导体层上依次沉积第二半导体材料层和金属格栅材料层； 依次刻蚀金属格栅材料层和第二半导体材料层，形成若干间隔分布的金属格栅结构和位于其下方的自隔离结构，所述自隔离结构与第一隔离结构位置对应设置，相邻自隔离结构之间为光敏区凹槽； 在光敏区凹槽内外延多层光敏层，形成光敏区； 所述多层光敏层包括依次外延沉积的第一光敏层、第二光敏层、第三光敏层和第四光敏层，其中，第一光敏层、第二光敏层依次外延于光敏区凹槽的底部和内壁，第三光敏层外延填满于第二光敏层的中部内孔，第四光敏层外延于第一至第三光敏层上方。
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