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龙图腾网获悉浙江翠展微电子有限公司申请的专利一种低杂感且双面散热的碳化硅功率模块获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120565532B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511052804.0，技术领域涉及：H01L23/495；该发明授权一种低杂感且双面散热的碳化硅功率模块是由陈文超;欧东赢;吴瑞;彭昊设计研发完成，并于2025-07-30向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低杂感且双面散热的碳化硅功率模块在说明书摘要公布了：本发明公开一种新型超低杂感及双面散热的碳化硅功率模块，其包括功率模块组件，塑封体，以及双面散热组件。功率模块组件由相向对称设置的下桥组件和上桥组件通过钼块连接构成。在工作时上桥臂和下桥臂中的杂散电感相互抵消，降低模块整体的杂散电感。所述功率模块组件通过两个双面散热组件分为上下层散热水道，从而双倍增加冷却液和模块的接触面积，提高模块的散热能力，有效地降低碳化硅模块的最大结温，提高碳化硅模块的工作效率。通过将小面积、分布更密的散热柱设置在高热量的芯片的底部，而低热量区设置面积大但数量少的散热柱，根据芯片的设置对散热柱进行合理排布，避免局部冷却液过度升温影响整体换热效率，从而保证整体散热效果。

本发明授权一种低杂感且双面散热的碳化硅功率模块在权利要求书中公布了：1.一种低杂感且双面散热的碳化硅功率模块，其特征在于：所述低杂感且双面散热的碳化硅功率模块包括多个功率模块组件，多个设置在所述功率模块组件上的塑封体，以及两个设置在所述功率模块组件上的双面散热组件，所述功率模块组件包括一个下桥组件，一个上桥组件，多个连接所述下桥组件和所述上桥组件的钼块，多个设置在所述下桥组件和上桥组件上的信号端子，一个设置在所述下桥组件上的AC铜排，一个设置在所述上桥组件上的正极铜排，一个设置在所述下桥组件上的负极铜排，以及一个设置在所述正极铜排和所述负极铜排之间的绝缘垫片，所述下桥组件包括一个第一DBC板，多个设置在所述第一DBC板上的下桥芯片，至少两个设置在所述下桥芯片上的铜Clip，多个阵列设置在所述第一DBC板上的第一散热柱，以及多个设置在所述第一DBC板上的第二散热柱，所述上桥组件包括一个第二DBC板，多个设置在所述第二DBC板上的上桥芯片，多个阵列设置在所述第一DBC板上的第三散热柱，以及多个设置在所述第二DBC板上的第四散热柱，所述第二DBC板和所述第一DBC板为叠层间隔设置，所述钼块的上下两端分别焊接在所述第一DBC板和所述上桥芯片上，所述正极铜排和所述负极铜排相互平行且间隔设置，所述绝缘垫片位于所述正极铜排和所述负极铜排之间，两个所述双面散热组件分别设置在所述下桥组件和所述上桥组件上，所述双面散热组件包括一个底座，一个开设在所述底座朝向所述功率模块组件的端面上的水道，所述底座与所述下桥组件或所述上桥组件密封贴合并盖设住所述水道，所述下桥组件和所述上桥组件的散热柱分别插设在两个所述双面散热组件的水道中。

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