浙江翠展微电子有限公司董文斌获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江翠展微电子有限公司申请的专利一种高电流密度IGBT器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120583692B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511072827.8，技术领域涉及：H10D12/00；该发明授权一种高电流密度IGBT器件是由董文斌;王鑫;徐真逸;于清华设计研发完成，并于2025-08-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高电流密度IGBT器件在说明书摘要公布了：一种高电流密度IGBT器件，其包括P型集电区，N型漂移区，P型基区，N型发射区，栅极沟槽，发射极沟槽，绝缘介质层，以及发射极金属。在平行于器件表面的方向上，所述栅极沟槽呈连续的弓字形弯折结构并沿水平方向延伸，所述发射极沟槽位于相邻的两个栅极沟槽之间且位于所述栅极沟槽的弯折处。使得所述栅极沟槽和所述发射极沟槽在平行于器件表面的方向上纵向和横向上均形成交替排列，使电子不再局限于单一沟槽的狭长区域，而是通过交替分布的沟槽更均匀注入N型漂移区，避免局部电流积累。同时，交替排列扩展了器件表面覆盖范围，增强电子注入均匀性，分散电流路径使热量在平面内均匀扩散，有效降低短路大电流下因热集中导致的芯片失效风险。
本发明授权一种高电流密度IGBT器件在权利要求书中公布了：1.一种高电流密度IGBT器件，其特征在于：所述高电流密度IGBT器件包括一个P型集电区，一个设置在所述P型集电区上的N型漂移区，一个设置在所述N型漂移区上的P型基区，多个设置在所述N型漂移区上的N型发射区，多个设置在P型基区上的栅极沟槽，多个设置在P型基区上的发射极沟槽，一个设置在所述P型基区上的绝缘介质层，以及一个设置在所述绝缘介质层上的发射极金属，所述N型发射区嵌设入所述P型基区，所述N型发射区的上表面与所述P型基区的上表面齐平设置，所述栅极沟槽与栅极金属和所述N型发射区连接，所述发射极沟槽与所述发射极金属连接，在平行于器件表面的方向上，所述栅极沟槽呈连续的弓字形弯折结构并沿水平方向延伸，所述发射极沟槽位于相邻的两个栅极沟槽之间且位于所述栅极沟槽的弯折处，所述栅极沟槽和所述发射极沟槽在平行于器件表面的方向上纵向和横向上均形成交替排列。
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