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龙图腾网获悉中天电子材料有限公司申请的专利耐水解聚酰亚胺薄膜的制备方法及耐水解聚酰亚胺薄膜获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120590662B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511088585.1，技术领域涉及：C08J5/18；该发明授权耐水解聚酰亚胺薄膜的制备方法及耐水解聚酰亚胺薄膜是由朱凡;曹义;宗奕扬;陈夏艳设计研发完成，并于2025-08-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本耐水解聚酰亚胺薄膜的制备方法及耐水解聚酰亚胺薄膜在说明书摘要公布了：本申请提供耐水解聚酰亚胺薄膜的制备方法及耐水解聚酰亚胺薄膜。所述耐水解聚酰亚胺薄膜的制备方法包括如下步骤：提供改性填料，所述改性填料为二甲基羟基硅油改性的纳米二氧化硅或二甲基羟基硅油改性的硅藻土与二甲基羟基硅油改性的纳米二氧化硅的混合物；提供非质子极性溶剂，将一定量的所述改性填料加入所述非质子极性溶剂中，并超声搅拌分散均匀得到第一混合物；将所述第一混合物和一定量的芳香二胺、芳香二酐加入所述非质子极性溶剂中，原位聚合得到聚酰胺酸浆料；将所述聚酰胺酸浆料经过亚胺化后得到耐水解聚酰亚胺薄膜。所述聚酰亚胺由前述的耐水解聚酰亚胺薄膜的制备方法制备获得。

本发明授权耐水解聚酰亚胺薄膜的制备方法及耐水解聚酰亚胺薄膜在权利要求书中公布了：1.一种耐水解聚酰亚胺薄膜的制备方法，其特征在于，包括如下步骤： 提供改性填料，所述改性填料为二甲基羟基硅油改性的硅藻土与二甲基羟基硅油改性的纳米二氧化硅的混合物；所述二甲基羟基硅油改性的纳米二氧化硅的制备方法包括：将纳米二氧化硅与二甲基羟基硅油按照1：1的比例混于10倍重量的甲醇溶液中，超声处理并搅拌，随后使用甲醇清洗并烘干；所述二甲基羟基硅油改性的硅藻土与二甲基羟基硅油改性的纳米二氧化硅的混合物制备方法包括：将硅藻土与二甲基羟基硅油按照1：1的比例混于10倍重量的甲醇溶液中，超声处理并搅拌，随后加入10-20倍重量的所述二甲基羟基硅油改性的纳米二氧化硅并搅拌，超声处理并搅拌； 提供非质子极性溶剂，将一定量的所述改性填料加入所述非质子极性溶剂中，并超声搅拌分散均匀得到第一混合物，将一定量的所述改性填料加入所述非质子极性溶剂时，所述改性填料的质量百分比为0.1%-10.0%； 将所述第一混合物和一定量的芳香二胺、芳香二酐依次加入所述非质子极性溶剂中，原位聚合得到聚酰胺酸浆料； 将所述聚酰胺酸浆料经过亚胺化后得到耐水解聚酰亚胺薄膜。

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