瑞能微恩半导体(上海)有限公司文乔获国家专利权
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龙图腾网获悉瑞能微恩半导体(上海)有限公司申请的专利一种二极管的测试电路、装置及设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223436066U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422716847.1，技术领域涉及：G01R31/26；该实用新型一种二极管的测试电路、装置及设备是由文乔;沙瑶;于斌斌设计研发完成，并于2024-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种二极管的测试电路、装置及设备在说明书摘要公布了：本公开涉及一种二极管的测试电路、装置及设备，测试电路包括：能量调节模块、检测模块以及抗干扰模块。能量调节模块与待测二极管连接，能量调节模块用于调节施加于待测二极管的能量；检测模块包括电压检测单元，电压检测单元与待测二极管电连接；抗干扰模块与电压检测单元电连接，抗干扰模块用于消减对电压检测单元的检测电压的干扰。本公开通过能量调节模块对施加于待测二极管的能量进行调节，使待测二极管在相较于常规测试时更大的能量条件下进行测试，从而放大存在缺陷的待测二极管的缺陷问题，并且采用抗干扰模块可以将测试过程中产生的干扰消除，使电压采集单元采集到的电压数据更加准确，实现精确且有效的筛选出存在缺陷的待测二极管。
本实用新型一种二极管的测试电路、装置及设备在权利要求书中公布了：1.一种二极管的测试电路，其特征在于，包括： 能量调节模块，所述能量调节模块与待测二极管连接，所述能量调节模块用于调节施加于所述待测二极管的能量； 检测模块，包括电压检测单元，所述电压检测单元与所述待测二极管电连接，用于检测所述待测二极管的反向击穿电压； 抗干扰模块，所述抗干扰模块与所述电压检测单元电连接，所述抗干扰模块用于消减对所述电压检测单元的检测电压的干扰。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人瑞能微恩半导体(上海)有限公司，其通讯地址为：201500 上海市金山区金山工业区九工路1688弄6号；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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