长江存储科技有限责任公司徐平平获国家专利权
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龙图腾网获悉长江存储科技有限责任公司申请的专利等离子体刻蚀装置获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223436486U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-14发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202422042846.3,技术领域涉及:H01J37/32;该实用新型等离子体刻蚀装置是由徐平平;杨生;豆海清设计研发完成,并于2024-08-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本等离子体刻蚀装置在说明书摘要公布了:本申请实施例提供了一种等离子体刻蚀装置,涉及半导体芯片技术领域,旨在提高半导体器件的良率。该等离子体刻蚀装置包括转动装置,转动装置与第一线圈连接,转动装置用于驱动第一线圈绕第一轴线转动。通过上述设置,第一线圈的第一轴线垂直于第一腔室壁,转动装置驱动第一线圈绕第一轴线转动,则即使第一线圈在周向方向上的某一处或基础的电阻不相同,第一线圈产生的磁场不均匀,但是在第一线圈绕第一轴线转动的某一周期内,转动的第一线圈产生的磁场是均匀的,均匀的磁场可以调整处理室内部等离子体的浓度,使处理室内部等离子体的浓度均匀,进而使等离子体刻蚀装置可以对半导体器件的各处均匀的进行刻蚀,提高了半导体器件的良率。
本实用新型等离子体刻蚀装置在权利要求书中公布了:1.一种等离子体刻蚀装置,其特征在于,包括: 处理室,所述处理室设有第一腔室壁,所述处理室可生成用于刻蚀的等离子体; 第一线圈,所述第一线圈位于所述处理室外,所述第一线圈具有第一轴线,所述第一轴线垂直于所述第一腔室壁; 转动装置,所述转动装置与所述第一线圈连接,所述转动装置用于驱动所述第一线圈绕所述第一轴线转动。
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