东京毅力科创株式会社久保田绅治获国家专利权
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龙图腾网获悉东京毅力科创株式会社申请的专利等离子体处理方法及等离子体处理装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112951698B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011335819.5，技术领域涉及：H01J37/32；该发明授权等离子体处理方法及等离子体处理装置是由久保田绅治;永关一也;桧森慎司;永海幸一设计研发完成，并于2020-11-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本等离子体处理方法及等离子体处理装置在说明书摘要公布了：本发明中公开的等离子体处理方法包括在第1期间，通过从高频电源供应高频电力而在等离子体处理装置的腔室内生成等离子体的工序。等离子体处理方法进一步包括在接续第1期间的第2期间，停止供应源自高频电源的高频电力的工序。等离子体处理方法进一步包括在接续第2期间的第3期间，将负极性的直流电压从偏置电源施加到基板支承器的工序。在第3期间，未供应高频电力。在第3期间，将负极性的直流电压设定为利用二次电子在腔室内生成离子，该二次电子通过使腔室内的离子碰撞基板而释放。
本发明授权等离子体处理方法及等离子体处理装置在权利要求书中公布了：1.一种等离子体处理方法，其包括： 在第1期间，通过从高频电源供应高频电力而在等离子体处理装置的腔室内生成等离子体的工序，在该工序的该第1期间，未将负极性的直流电压从偏置电源施加到设置于该腔室内的基板支承器； 在接续所述第1期间的第2期间，停止供应源自所述高频电源的所述高频电力的工序，在该工序的该第2期间，未将所述负极性的直流电压从所述偏置电源施加到所述基板支承器；及 在接续所述第2期间的第3期间，将所述负极性的直流电压从所述偏置电源施加到所述基板支承器的工序，在该工序的该第3期间，未供应所述高频电力，在该第3期间，将所述负极性的直流电压设定为利用二次电子在所述腔室内生成离子，利用所生成的该离子蚀刻该基板，所述二次电子通过使所述腔室内的离子碰撞所述基板支承器上的基板而释放， 在所述第2期间，不对所述基板支承器施加正极性的直流电压， 不对所述基板支承器施加正极性的直流电压而重复进行包括生成等离子体的所述工序、停止供应所述高频电力的所述工序及施加所述负极性的直流电压的所述工序的一系列工序。
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