意法半导体股份有限公司M·G·萨吉奥获国家专利权
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龙图腾网获悉意法半导体股份有限公司申请的专利具有改善短路性能的4H-SiC电子器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113838936B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110689790.9，技术领域涉及：H10D30/60；该发明授权具有改善短路性能的4H-SiC电子器件及其制造方法是由M·G·萨吉奥;A·马格里;E·扎内蒂;A·瓜尔内拉设计研发完成，并于2021-06-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有改善短路性能的4H-SiC电子器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开的实施例涉及具有改善短路性能的4H‑SiC电子器件及其制造方法。一种电子器件，包括碳化硅的半导体本体和位于半导体本体的第一表面的本体区域。源极区域设置在本体区域中。漏极区域设置在半导体本体的第二表面处。掺杂区域在半导体本体的整个第一表面无缝地延伸，并且包括具有第一掺杂浓度的一个或多个第一子区域和具有低于第一掺杂浓度的第二掺杂浓度的一个或多个第二子区域。因此，该器件具有彼此交替的具有不同的传导阈值电压和不同的饱和电流的区。
本发明授权具有改善短路性能的4H-SiC电子器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种电子器件，包括： 半导体本体，具有沿一方向彼此相对的第一表面和第二表面； 本体区域，具有第一导电性，在所述第一表面处在所述半导体本体中延伸； 源极区域，具有与所述第一导电性相对的第二导电性，在所述半导体本体的所述第一表面处的所述本体区域中延伸； 漏极区域，具有所述第二导电性，在所述半导体本体的所述第二表面处延伸； 掺杂区域，具有所述第二导电性，在所述半导体本体的整个所述第一表面处连续延伸，并且包括具有第一掺杂浓度的一个或多个第一子区域、以及具有低于所述第一掺杂浓度的第二掺杂浓度的一个或多个第二子区域； 第一栅极结构，在所述一个或多个第一子区域上；以及 第二栅极结构，在所述一个或多个第二子区域上。
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