福建省晋华集成电路有限公司赖惠先获国家专利权
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龙图腾网获悉福建省晋华集成电路有限公司申请的专利存储器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114068557B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111392290.5，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权存储器是由赖惠先;林昭维;朱家仪;童宇诚设计研发完成，并于2020-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本存储器在说明书摘要公布了：本发明提供了一种存储器。该存储器中设置有不同高度的隔离柱，例如，针对排布在最边缘且紧邻的两个节点接触部之间设置较高的第一隔离柱，针对记忆体区内部的节点接触部则降低隔离柱的高度，以及在周边区中可设置不同高度的隔离柱。
本发明授权存储器在权利要求书中公布了：1.一种存储器，其特征在于，包括： 衬底，所述衬底上定义有记忆体区和周边区，所述周边区位于所述记忆体区的外侧； 多条隔离柱，形成在所述衬底上，并在记忆体区中界定出多个节点接触窗在所述衬底的所述记忆体区中；以及， 多个节点接触部，所述节点接触部填充所述节点接触窗并呈多排排布，所述多个节点接触部中每一排填充在最边缘且紧邻的两个节点接触部相互连接并构成组合接触部，位于所述组合接触部远离周边区一侧的所述节点接触部构成独立接触部； 其中，用于间隔相邻的节点接触部的隔离柱包括第一隔离柱和第二隔离柱，以及形成在周边区中的隔离柱构成第三隔离柱，所述第一隔离柱的顶表面高于所述第二隔离柱的顶表面，所述第二隔离柱的顶表面高于至少部分第三隔离柱的顶表面，所述第一隔离柱、所述第二隔离柱和所述第三隔离柱由相同材料组成。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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