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龙图腾网获悉株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社申请的专利半导体装置及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114188415B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110136019.9，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权半导体装置及其制造方法是由马场祥太郎;小林勇介;加藤浩朗;西口俊史设计研发完成，并于2021-02-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体装置及其制造方法在说明书摘要公布了：实施方式提供可提高特性的半导体装置及其制造方法。根据实施方式，半导体装置包含第一导电部件、半导体部件、第二导电部件、第三导电部件、以及第一绝缘部件。半导体部件包含设于第一导电部件之上的第一半导体区域、设于第一半导体区域的一部分之上的第二半导体区域、以及设于所述第二半导体区域之上的第三半导体区域。第二半导体区域包含与所述第一半导体区域的一部分对置的第一面。所述第一面包含与第一绝缘部件相接的第一接触部分。第一面的下端部比第一接触部分靠下。第三半导体区域包含与第二半导体区域对置的第二面。第二面包含与第一绝缘部件相接的第二接触部分。第二面的下端部比第二接触部分靠下。

本发明授权半导体装置及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，具备： 第一导电部件； 半导体部件，所述半导体部件包含：设于所述第一导电部件之上的第一导电型的第一半导体区域、设于所述第一半导体区域的一部分之上的第二导电型的第二半导体区域、以及设于所述第二半导体区域之上的所述第一导电型的第三半导体区域，所述第三半导体区域中的所述第一导电型的杂质浓度比所述第一半导体区域中的所述第一导电型的杂质浓度高； 第二导电部件，包含与所述第二半导体区域以及所述第三半导体区域电连接的第一导电部分； 第三导电部件，设于所述第一半导体区域的其他部分之上，从所述第二半导体区域向所述第三导电部件的第二方向与从所述第一导电部件向所述第一半导体区域的第一方向交叉；以及 第一绝缘部件，所述第一绝缘部件的至少一部分位于所述半导体部件与所述第三导电部件之间，所述第一绝缘部件的所述至少一部分使所述半导体部件与所述第三导电部件之间电绝缘， 所述第二半导体区域包含与所述第一半导体区域的所述一部分对置的第一面，所述第一面包含与所述第一绝缘部件相接的第一接触部分，所述第一导电部件与所述第一面的下端部之间的沿着所述第一方向的第一距离，比所述第一导电部件与所述第一接触部分之间的沿着所述第一方向的第二距离短， 所述第一距离比所述第一导电部件与所述第三导电部件的下端部之间的沿着所述第一方向的距离短， 所述第三半导体区域包含与所述第二半导体区域对置的第二面，所述第二面包含与所述第一绝缘部件相接的第二接触部分，所述第一导电部件与所述第二面的下端部之间的沿着所述第一方向的第三距离，比所述第一导电部件与所述第二接触部分之间的沿着所述第一方向的第四距离短， 所述第三距离比所述第一导电部件与所述第三导电部件的上端部之间的沿着所述第一方向的距离短， 所述第四距离比所述第一导电部件与所述第三导电部件的所述上端部之间的沿着所述第一方向的所述距离长， 所述第一绝缘部件包含设于所述第三半导体区域之上的上部绝缘区域， 所述上部绝缘区域包含第一绝缘部分以及第二绝缘部分， 所述第一绝缘部分位于所述第一导电部分与所述第二绝缘部分之间， 所述第一绝缘部分的沿着所述第一方向的第一厚度，比所述第二绝缘部分的沿着所述第一方向的第二厚度薄。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人株式会社东芝;东芝电子元件及存储装置株式会社，其通讯地址为：日本东京都；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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