信越化学工业株式会社高坂卓郎获国家专利权
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龙图腾网获悉信越化学工业株式会社申请的专利相移掩模坯料、相移掩模的制造方法及相移掩模获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114200765B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111076088.1，技术领域涉及：G03F1/26；该发明授权相移掩模坯料、相移掩模的制造方法及相移掩模是由高坂卓郎;松桥直树;三村祥平设计研发完成，并于2021-09-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本相移掩模坯料、相移掩模的制造方法及相移掩模在说明书摘要公布了：本发明提供一种具有相位控制性良好且通过使用氯氧气体的蚀刻而得到的图案形状优异的相移膜的相移掩模坯料。所述相移掩模坯料具有透明基板、及形成于透明基板上的相移膜，相移膜在波长200nm以下的曝光波长下的相位差为160～200°、透射率为3～15％，相移膜从透明基板侧开始依次包含下层与上层，上层含有过渡金属、硅、氮和或氧、或者含有硅、氮和或氧，下层含有铬、硅、氮和或氧，相对于下层的铬与硅的合计，硅的含有率为3％以上且小于15％，且氧的含有率相对于铬与硅的合计含有率的比率小于1.7，且氟类的干法蚀刻中的上层与下层的蚀刻选择比为10以上。
本发明授权相移掩模坯料、相移掩模的制造方法及相移掩模在权利要求书中公布了：1.一种相移掩模坯料，其具有透明基板及形成于该透明基板上的相移膜，所述相移掩模坯料的特征在于， 所述相移膜在波长200nm以下的曝光波长下的相位差为160～200°、透射率为3～15％， 所述相移膜从所述透明基板侧开始依次包含下层与上层， 所述上层含有过渡金属和硅，并含有氮和或氧，或者所述上层含有硅，并含有氮和或氧， 所述下层含有铬和硅，并含有氮和或氧，相对于所述下层的铬与硅的合计，硅的含有率为3％以上且小于15％，且氧的含有率相对于铬与硅的合计含有率的比率小于1.7，且 氟类的干法蚀刻中的所述上层与所述下层的蚀刻选择比为10以上。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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