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龙图腾网获悉铠侠股份有限公司申请的专利半导体存储装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114203713B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110251076.1，技术领域涉及：H10B41/35；该发明授权半导体存储装置是由加藤久词设计研发完成，并于2021-03-08向国家知识产权局提交的专利申请。

本半导体存储装置在说明书摘要公布了：实施方式的半导体存储装置包含衬底、多个导电体层及多个柱MP。衬底包含第1区域MA1及第2区域HA、以及多个块区域BLK。多个导电体层具有多个阶台部分，所述多个阶台部分在第2区域与多个块区域重叠的各区域中分别不与上层的导电体层重叠。多个柱MP设置在多个块区域的每一个中，贯通多个导电体层。第2区域HA包含在第1方向上排列的第1子区域US及第2子区域LS。第1子区域US包含多个第1阶台部分在朝向第1区域的方向上升级或降级的第1阶梯构造。第2子区域LS包含：第2阶梯构造，多个第2阶台部分在远离第1区域的方向上升级或降级；及第1图案RPL，与多个导电体层中的任一个连续设置。

本发明授权半导体存储装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体存储装置，具备： 衬底，包含第1区域、第2区域及多个块区域，且所述第1区域及所述第2区域在第1方向上排列配置，所述多个块区域各自在所述第1方向上延伸设置，所述多个块区域在与所述第1方向交叉的第2方向上排列配置； 多个导电体层，在所述多个块区域的每一个中均被分断，所述多个导电体层在分别与所述第1方向及所述第2方向交叉的第3方向上排列并且彼此分开设置，所述多个导电体层具有多个阶台部分，所述多个阶台部分在所述第2区域与所述多个块区域重叠的各区域中分别设置成不与上层的导电体层重叠； 多个柱，设置在所述多个块区域的每一个中，所述多个柱各自贯通所述多个导电体层，所述柱与所述导电体层相交叉的部分作为存储胞发挥功能；以及 多个接点，在所述多个块区域的每一个中，分别设置在所述多个阶台部分之上；且 所述第2区域包含在所述第1方向上排列的第1子区域及第2子区域， 所述第1子区域包含第1阶梯构造，所述第1阶梯构造包含以下构造，即，所述多个阶台部分所包含的多个第1阶台部分在沿着所述第1方向并且朝向所述第1区域的方向上升级或降级， 所述第2子区域包含第2阶梯构造与第1图案，所述第2阶梯构造包含以下构造，即，所述多个阶台部分所包含的多个第2阶台部分在沿着所述第1方向并且远离所述第1区域的方向上升级或降级，所述第1图案与所述多个导电体层中的任一个连续设置， 所述第1图案配置在所述第1阶梯构造与所述第2阶梯构造之间，至少1个接点配置在与所述第1图案连续设置的导电体层的阶台部分和所述第1图案之间。

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