上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司闵金华获国家专利权
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龙图腾网获悉上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司申请的专利曝光场拐角的标记单元获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114334910B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111682926.X，技术领域涉及：H01L23/544；该发明授权曝光场拐角的标记单元是由闵金华;沈满华设计研发完成，并于2021-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本曝光场拐角的标记单元在说明书摘要公布了：本发明提供了一种曝光场拐角的标记单元，包括有源层标记、金属栅层标记、通孔层标记和隔离层标记；所述有源层标记与所述金属栅层标记交错设置，所述金属栅层标记和所述有源层标记内部均设置空白区；所述通孔层标记设置于所述空白区内，且所述通孔层标记的整体形状与所述空白区的形状相适配；所述通孔层标记和所述隔离层标记均设置于所述空白区，且所述通孔层标记的整体形状和所述隔离层标记的整体形状均与所述空白的形状相适配；所述隔离层标记设置于所述通孔层的外侧；标记之间相互不重叠，解决了若干层标记发生重叠而产生的缺陷的问题；通过设置隔离层标记以隔离有源层标记和通孔层标记，从而使得通孔层标记和有源层标记界限分明。
本发明授权曝光场拐角的标记单元在权利要求书中公布了：1.一种曝光场拐角的标记单元，其特征在于，包括有源层标记、金属栅层标记、通孔层标记和隔离层标记； 所述有源层标记与所述金属栅层标记交错设置于曝光场拐角的覆盖区，所述覆盖区的内部设置空白区； 所述通孔层标记和所述隔离层标记均设置于所述空白区，且所述通孔层标记的整体形状和所述隔离层标记的整体形状均与所述空白的形状相适配； 所述隔离层标记设置于所述通孔层的外侧。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人上海集成电路装备材料产业创新中心有限公司;上海集成电路研发中心有限公司，其通讯地址为：201800 上海市嘉定区叶城路1288号6幢JT2216室；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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