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龙图腾网获悉华东计算技术研究所(中国电子科技集团公司第三十二研究所)申请的专利超低功耗POR电路及集成电路设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114337624B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111591115.9，技术领域涉及：H03K17/22；该发明授权超低功耗POR电路及集成电路设备是由时婷婷;王永春;张艺泷;任敏华;马鹏;刘佩设计研发完成，并于2021-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。

本超低功耗POR电路及集成电路设备在说明书摘要公布了：本发明提供了一种超低功耗POR电路及集成电路设备，包括：上电检测电路、脉冲展宽电路、脉冲锁存电路、掉电检测电路和输出缓冲电路；所述上电检测电路与脉冲展宽电路连接，所述脉冲展宽电路与脉冲锁存电路连接，所述脉冲锁存电路分别连接上电检测电路和缓冲电路，所述掉电检测电路连接脉冲锁存电路。本发明POR电路完成上电检测，生成POR信号时，对上电检测模块进行关断，以降低电路静态功耗，实现极低功耗。

本发明授权超低功耗POR电路及集成电路设备在权利要求书中公布了：1.一种超低功耗POR电路，其特征在于，包括：上电检测电路、脉冲展宽电路、脉冲锁存电路、掉电检测电路和输出缓冲电路； 所述上电检测电路与脉冲展宽电路连接，所述脉冲展宽电路与脉冲锁存电路连接，所述脉冲锁存电路分别连接上电检测电路和缓冲电路，所述掉电检测电路连接脉冲锁存电路； 所述上电检测电路包括：PMOS管P1、电阻R1、电阻R2、反相器U1以及反相器U2；所述PMOS管P1的源极连接VDD，所述PMOS管P1的漏极连接电阻R1的一端，所述电阻R1的另一端分别连接电阻R2的一端和反相器U1的输入端，所述电阻R2的另一端接地；所述反相器U1的输出端连接反相器U2的输入端，所述反相器U2的输出端与脉冲展宽电路连接； 所述脉冲展宽电路包括反相器U3和反相器U4；所述反相器U3的输入端连接反相器U2的输出端，所述反相器U3的输出端连接反相器U4的输入端，所述反相器U4的输出端连接脉冲锁存电路； 所述脉冲锁存电路包括MOS管Q1、MOS管Q2、反相器U5、反相器U6、反相器U7、反相器U8、反相器U9、反相器U10以及NMOS管N1；所述MOS管Q1的漏极和MOS管Q2的漏极连接后与反相器U4的输出端连接，所述MOS管Q1的栅极连接反相器U5的输出端，所述MOS管Q1的源极与MOS管Q2的源极连接后分别连接NMOS管N1的源极和反相器U7的输入端，所述MOS管Q2的栅极分别连接反相器U5的输入端和反相器U6的输出端，所述反相器U7的输出端分别连接反相器U10的输入端、反相器U9的输出端以及反相器U8的输入端，所述反相器U8的输出端连接反相器U6的输入端，所述反相器U10的输出端与反相器U9的输入端、NMOS管N1的栅极以及PMOS管P1的栅极连接，所述NMOS管N1的漏极连接VDD。

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