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龙图腾网获悉普列斯半导体有限公司申请的专利发光二极管和形成发光二极管的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114375500B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080062496.9，技术领域涉及：H10H20/01；该发明授权发光二极管和形成发光二极管的方法是由A·皮诺斯;S·阿什顿;S·梅佐阿里设计研发完成，并于2020-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。

本发光二极管和形成发光二极管的方法在说明书摘要公布了：一种形成发光二极管LED前体的方法，包括：在基底上形成包括III族氮化物的第一半导体层，选择性地去除部分第一半导体层以形成台面结构，并形成单片LED结构。根据该方法，第一半导体层在第一半导体层的与基底相反的一侧上具有生长表面。根据该方法，选择性地去除第一半导体层以形成台面结构，使得第一半导体层的生长表面包括台面表面和体半导体表面。此外，单片LED结构在第一半导体层的生长表面上形成，使得单片LED结构覆盖台面表面和体半导体表面，单片LED结构包括多层，每层包括III族氮化物，单片LED结构包括：第二半导体层；设置在第二半导体层上的有源层，该有源层被配置为产生光；以及设置在有源层上的p型半导体层。在覆盖台面表面的p型半导体层的第一部分和覆盖体半导体表面的p型半导体层的第二部分之间提供势垒。该势垒围绕对台面表面进行覆盖的p型半导体层的第一部分。

本发明授权发光二极管和形成发光二极管的方法在权利要求书中公布了：1.一种形成发光二极管LED前体的方法，包括： a在基底上形成包括III族氮化物的第一半导体层，所述第一半导体层在所述第一半导体层的与所述基底相反的一侧上具有生长表面； b选择性地去除部分所述第一半导体层以形成台面结构，使得所述第一半导体层的生长表面包括台面表面和体半导体表面； c在所述第一半导体层的生长表面上形成单片LED结构，使得所述单片LED结构覆盖所述台面表面和所述体半导体表面，所述单片LED结构包括多层，每层包括III族氮化物，所述单片LED结构包括： -第二半导体层； -有源层，其设置在所述第二半导体层上，所述有源层被配置为产生光；和 -p型半导体层，其设置在所述有源层上， 其中在覆盖所述台面表面的所述p型半导体层的第一部分和覆盖所述体半导体表面的所述p型半导体层的第二部分之间提供势垒，所述势垒围绕对所述台面表面进行覆盖的所述p型半导体层的第一部分； 其中，所述第二半导体层在所述生长表面上形成以提供倾斜侧壁部分，所述倾斜侧壁部分在所述第一半导体层的台面表面上的所述第二半导体层的第一部分和所述第一半导体层的体半导体表面上的所述第二半导体层的第二部分之间延伸；以及 所述p型半导体层包括Al，并且所述p型半导体层形成为使得所述p型半导体层的倾斜侧壁部分中包含的Al的浓度比覆盖所述台面表面的所述p型半导体层的第一部分中包含的Al的浓度高，使得在所述p型半导体层的第一部分和所述p型半导体层的第二部分之间的所述p型半导体层的倾斜侧壁部分中形成势垒。

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