格芯(美国)集成电路科技有限公司M·莱维获国家专利权
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龙图腾网获悉格芯(美国)集成电路科技有限公司申请的专利利用块体半导体基板的装置集成方案获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN114388496B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-10-17发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202111085565.0，技术领域涉及：H10D84/40；该发明授权利用块体半导体基板的装置集成方案是由M·莱维;黄正铉;西瓦·P·阿度苏米利设计研发完成，并于2021-09-16向国家知识产权局提交的专利申请。
本利用块体半导体基板的装置集成方案在说明书摘要公布了：本发明涉及利用具有晶体取向的块体半导体基板的装置集成方案，揭示了集成在块体半导体基板上的包括诸如晶体管之类的装置的结构和形成包括集成在块体半导体基板上的诸如晶体管之类的装置的结构的方法。块体半导体基板含有具有金刚石晶格结构和晶体取向的单晶半导体材料。第一晶体管形成在块体半导体基板的第一装置区中，以及第二晶体管形成在块体半导体基板的第二装置区中。第二晶体管包括在块体半导体基板上的层堆叠，以及层堆叠包括由III‑V化合物半导体材料组成的层。
本发明授权利用块体半导体基板的装置集成方案在权利要求书中公布了：1.一种半导体结构，包括： 块体半导体基板，包括具有金刚石晶体晶格结构和111晶体取向的单晶半导体材料，且所述块体半导体基板具有第一装置区和第二装置区； 第一互补金属氧化物半导体CMOS晶体管，位于所述块体半导体基板的所述第一装置区的所述单晶半导体材料中；以及 非互补金属氧化物半导体晶体管，位于所述块体半导体基板的所述第二装置区中，所述非互补金属氧化物半导体晶体管包括位于所述块体半导体基板的所述单晶半导体材料上的层堆叠，以及所述层堆叠包括由III-V化合物半导体材料组成的层。
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